[发明专利]一种提高光提取效率发光二极管的制作方法无效
| 申请号： | 201110037372.8 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102637782A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张雪亮;王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种提高光提取效率发光二极管的制作方法，涉及光电技术领域。本发明的步骤为： |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 提取 效率 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种提高光提取效率发光二极管的制作方法，它包括如下步骤：![]()
在蓝宝石衬底上生长的氮化镓材料（1）的表面用光刻定义并刻蚀出N型氮化镓区域（2）；![]()
在氮化镓材料（1）上表面用电子束蒸发方法蒸镀具有自然粗化性质的ITO薄膜（3）；![]()
用光刻和湿法刻蚀的方法定义出ITO电流传导区域（4）；![]()
用等离子化学气相沉积的方法在器件表面覆盖SiO2保护层（5）；![]()
用光刻和湿法刻蚀的方法定义电极位置（6）；![]()
用电子束蒸发的方法蒸镀P型和N型的电极（7）。
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