[发明专利]发光二极管封装、高反射型硅次基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110036945.5 | 申请日： | 2011-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102163659A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 吴上义;陈键辉 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾桃*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管封装、用于发光二极管封装的高反射型硅次基板及其制造方法，其中所述用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法：首先提供一硅基板；在硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的反射层及硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化硅基板，使孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住绝缘层；在绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的金属晶种层上形成一金属层；再去除光致抗蚀剂图案；最后，去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 反射 型硅次基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：提供一硅基板；在该硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层上形成一金属层；去除该光致抗蚀剂图案；以及去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。
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