[发明专利]发光二极管封装、高反射型硅次基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管封装技术领域，特别是涉及一种用于发光二极管封装的高反射型(high-reflection)硅次基板(silicon submount)及其制造方法。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，简称LED)元件一般是作为指示灯、显示板的发光源，它不但能够高效率地直接将电能转化为光能，而且具有使用寿命长、省电等优点，故其在照明或显示应用领域中已逐渐扮演越来越重要的角色。

如熟习该项技艺者所知，传统发光二极管封装构件通常采用氧化铝(Al₂O₃)等陶瓷次基板，但是这种陶瓷次基板的散热效果差，容易导致LED元件在高温下的可靠度问题及LED元件使用寿命减短等等问题。除了散热问题之外，传统发光二极管技术还有成本及发光效率等问题尚待解决。

由此可知，该技术领域目前仍需要一种改良的发光二极管封装次基板，可以解决过去使用陶瓷次基板造成的散热问题、并同时具备低制造成本及提升发光二极管封装的发光效能。

发明内容

鉴于此，本发明的目在于提供一种用于发光二极管封装的高反射型硅次基板及其制造方法，以解决背景技艺的不足与缺点。

为达上述目的，根据本发明的一较佳实施例，本发明提供一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：提供一硅基板；在该硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案； 在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层上形成一金属层；去除该光致抗蚀剂图案；以及去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。

根据本发明的另一较佳实施例，本发明提供一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：提供一硅基板；在该硅基板上形成一反射层；蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；蚀刻掉部分未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层，直到曝露出部分的该绝缘层；在蚀刻该金属晶种层后，去除该光致抗蚀剂图案；以及在该金属晶种层的表面上电镀形成一金属层。

根据本发明的又另一较佳实施例，本发明提供一种用于发光二极管封装的硅次基板，包含有一硅基板，其一面上设有一反射层；一直通硅晶穿孔，穿过该反射层及该硅基板；一绝缘层，覆盖该反射层及该硅基板；以及一重分布线路层，设于该绝缘层上。

根据本发明的又另一较佳实施例，本发明提供一种发光二极管封装，包含有一硅次基板，其包含有一硅基板，其一面上设有一反射层、一直通硅晶穿孔，穿过该反射层及该硅基板、一绝缘层，覆盖该反射层及该硅基板、一重分布线路层，设于该绝缘层上；一发光二极管管芯，置于该硅次基板上；以及一打线，将该发光二极管管芯的一电极与该硅次基板的一接合垫接合。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施方式，并配合所附附图，作详细说明如下。然而如下的较佳实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图6为依据本发明一较佳实施例所绘示的一种用于发光二极管封装的高反射型硅次基板的制造方法示意图；

图7至图12为依据本发明另一较佳实施例所绘示的一种用于发光二极管封装的高反射型硅次基板的制造方法示意图；

图13为依据本发明另一较佳实施例所绘示的发光二极管封装的剖面示意图。

主要元件符号说明

1高反射型硅次基板

10硅基板

10a前表面

10b背面

11反射层

12孔洞

12a直通硅晶穿孔

13绝缘层

14金属晶种层

15光致抗蚀剂图案

16金属层

17光致抗蚀剂图案

22重分布线路层图案

24重分布线路层图案

25管芯接垫

26接合垫

30发光二极管管芯

32第一电极

34第二电极

36打线

具体实施方式