[发明专利]发光二极管封装、高反射型硅次基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：

提供一硅基板；

在该硅基板上形成一反射层；

蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；

进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；

形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；

形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；

在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；

在未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层上形成一金属层；

去除该光致抗蚀剂图案；以及

去除未被该金属层覆盖的该金属晶种层。

2.如权利要求1所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该反射层包含铝或银。

3.如权利要求1所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该绝缘层包含有二氧化硅。

4.如权利要求1所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该绝缘层为一透光的绝缘层。

5.如权利要求1所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该金属晶种层包含有钛钨合金或铜金属。

6.如权利要求1所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该金属层包含铜金属层或镍金层。

7.一种发光二极管封装的制造方法，包含有：

提供一以权利要求1所述的方法所构成的硅次基板；

将一发光二极管管芯置于该硅次基板上；以及

以打线将该发光二极管管芯的一电极与该硅次基板的一接合垫接合。

8.一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，包含有：

提供一硅基板；

在该硅基板上形成一反射层；

蚀刻掉部分的该反射层及该硅基板，形成一孔洞；

进行一晶片晶背研磨制作工艺，薄化该硅基板，使得该孔洞变成一直通硅晶穿孔；

形成一绝缘层，覆盖住该反射层及该硅基板；

形成一金属晶种层，覆盖住该绝缘层；

在该绝缘层上形成一光致抗蚀剂图案，定义出一重分布线路层图案；

蚀刻掉部分未被该光致抗蚀剂图案覆盖的该金属晶种层，直到曝露出部分的该绝缘层；

在蚀刻该金属晶种层后，去除该光致抗蚀剂图案；以及

在该金属晶种层的表面上电镀形成一金属层。

9.如权利要求8所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该反射层包含铝或银。

10.如权利要求8所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该绝缘层为一透光的绝缘层。

11.如权利要求8所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该金属晶种层包含有钛钨合金或铜金属。

12.如权利要求8所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板的制造方法，其中该金属层包含铜金属层或镍金层。

13.一种发光二极管封装的制造方法，包含有：

提供一以权利要求8所述的方法所构成的硅次基板；

将一发光二极管管芯置于该硅次基板上；以及

以打线将该发光二极管管芯的一电极与该硅次基板的一接合垫接合。

14.一种用于发光二极管封装的硅次基板，包含有：

硅基板，其一面上设有一反射层；

直通硅晶穿孔，穿过该反射层及该硅基板；

绝缘层，覆盖该反射层及该硅基板；以及

重分布线路层，设于该绝缘层上。

15.如权利要求14所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板，其中该反射层包含铝或银。

16.如权利要求14所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板，其中该绝缘层为一透光的绝缘层。

17.如权利要求14所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板，其中该重分布线路层包含有金属晶种层以及金属层。

18.如权利要求17所述的一种用于发光二极管封装的硅次基板，其中该金属晶种层包含有钛钨合金或铜金属。