[发明专利]中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201110036396.1 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102061439A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 雷鸣;赵勇;蒲明华 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C8/12 | 分类号： | C23C8/12 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，其步骤是，将退火处理后的双轴织构NiW(200)合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，再在用冰乙酸和硝酸按摩尔比1∶1配制成的表面腐蚀溶液中浸渍10-90秒，然后在95-99份重的氨水和1-5份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍10-120秒；再将合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在600℃-850℃温度条件下，氧化热处理5-30分钟。该方法可以实现涂层导体缓冲层的低成本制备、中温下连续制备、制备效率高，适用于大规模工业化生产；同时制备出的NiO(200)缓冲层薄膜织构性能好、薄膜致密度高、厚度容易控制、能有效起到阻挡作用。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 氧化 外延 制备 双轴织构 nio 200 涂层 导体 缓冲 方法 | ||
【主权项】：
一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，依次由以下步骤构成：a、基带的表面腐蚀修饰：用浓度为99％的冰乙酸和浓度为53％的硝酸按摩尔比1∶1配制成表面腐蚀溶液；将退火处理后的双轴织构NiW(200)合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，在表面腐蚀液中浸渍10‑90秒，取出、洗净、晾干；再将基带在95‑99份重的氨水和1‑5份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍10‑120秒，取出、洗净、晾干；b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW(200)合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在600℃‑850℃温度条件下，氧化热处理5‑30分钟。
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