[发明专利]中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201110036396.1 | 申请日： | 2011-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102061439A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 雷鸣;赵勇;蒲明华 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C8/12 | 分类号： | C23C8/12 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 氧化 外延 制备 双轴织构 nio 200 涂层 导体 缓冲 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，依次由以下步骤构成：
a、基带的表面腐蚀修饰：
用浓度为99％的冰乙酸和浓度为53％的硝酸按摩尔比1∶1配制成表面腐蚀溶液；将退火处理后的双轴织构NiW(200)合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，在表面腐蚀液中浸渍10-90秒，取出、洗净、晾干；再将基带在95-99份重的氨水和1-5份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍10-120秒，取出、洗净、晾干；
b、氧化热处理：将a步表面腐蚀修饰后的NiW(200)合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在600℃-850℃温度条件下，氧化热处理5-30分钟。
2.如权利要求1所述的中温表面氧化外延制备双轴织构NiO(200)涂层导体缓冲层的方法，其特征是：所述b步氧化热处理的具体作法为：将管式气氛烧结炉快速升温到所述温度，当温度和通入气氛气流量稳定后，再将表面修饰后的NiW(200)合金基带推入炉中；合金基带在炉中的时间达到所述的氧化热处理时间后，将氧化后的NiW(200)合金基带从炉中推出、冷却到室温，即可。
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