[发明专利]快闪存储器结构及其制造与操作方法有效

专利信息
申请号: 201110035673.7 申请日: 2011-02-10
公开(公告)号: CN102637692A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 吕函庭 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种快闪存储器结构及其制造与操作方法。该快闪存储器结构包括多个存储单元平面成三维排列,每一存储单元平面包括多条字线和多个电荷捕捉复合层交错排列,使相邻的两字线以设置其中之一电荷捕捉复合层相互隔开;多个位线组和多个源极线组交错排列且垂直于存储单元平面设置;以及多个沟道组和多个绝缘柱体组交错排列,并垂直存储单元平面设置,且每一沟道组设置于相邻位线组和源极线组之间。
搜索关键词: 闪存 结构 及其 制造 操作方法
【主权项】:
一种三维堆叠AND型快闪存储器结构,包括:多个存储单元平面,设置成三维排列,且每个该存储单元平面包括多条字线和多个电荷捕捉复合层交错排列,使相邻的两字线以设置其中的每个该电荷捕捉复合层相互间隔开;多个位线组和多个源极线组,交错排列且垂直于该多个存储单元平面设置;以及多个沟道组和多个绝缘柱体组,交错排列并垂直于该多个存储单元平面设置,且每个该沟道组设置于相邻的该位线组和该源极线组之间。
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