[发明专利]半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置。该半导体装置的制造方法中，对处理腔室内供给由混合气体构成的处理气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与上述第一流量不同的第二流量的第二工序，第一时间和第二时间为1秒以上15秒以下，第一工序中的处理气体的总流量与第二工序中的处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，在第一工序和第二工序中的任一工序中，用于对被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在处理气体中。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其包括将基板收容在处理腔室内并对形成在所述基板的被蚀刻膜进行蚀刻的等离子体蚀刻工序，所述半导体装置的制造方法的特征在于：在所述等离子体蚀刻工序中，对所述处理腔室内供给处理气体，该处理气体包括规定的多种气体的混合气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使所述多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与所述第一流量不同的第二流量的第二工序，所述第一时间和所述第二时间为1秒以上15秒以下，所述第一工序中的所述处理气体的总流量与所述第二工序中的所述处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，在所述第一工序和所述第二工序中的任一工序中，用于对所述被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在所述处理气体中。