[发明专利]半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括将基板收容在处理腔室内并对形成在所述基板的被蚀刻膜进行蚀刻的等离子体蚀刻工序，所述半导体装置的制造方法的特征在于：

在所述等离子体蚀刻工序中，

对所述处理腔室内供给处理气体，该处理气体包括规定的多种气体的混合气体，

并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使所述多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与所述第一流量不同的第二流量的第二工序，

所述第一时间和所述第二时间为1秒以上15秒以下，

所述第一工序中的所述处理气体的总流量与所述第二工序中的所述处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，

在所述第一工序和所述第二工序中的任一工序中，用于对所述被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在所述处理气体中。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一时间和所述第二时间为2.5秒以上10秒以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一时间和所述第二时间相同。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述被蚀刻膜是氧化硅膜，

所述处理气体至少包含氟化物气体，在所述第一工序和所述第二工序中，将氟化物气体的流量变更为所述第一流量和所述第二流量。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述氟化物气体是C₄F₆气体。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述处理气体包含O₂气体和Ar气体。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述被蚀刻膜是非晶硅膜，

所述处理气体至少包含NF₃气体、HBr气体和O₂气体，在所述第一工序和所述第二工序中，将NF₃气体的流量变更为所述第一流量和所述第二流量。

8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述被蚀刻膜是碳膜，

所述处理气体至少包含HBr气体和O₂气体，在所述第一工序和第二工序中，将HBr气体和O₂气体的流量变更为所述第一流量和所述第二流量。

9.一种等离子体蚀刻装置，其包括：将基板收容在内部并对形成在所述基板的被蚀刻膜进行蚀刻的处理腔室；处理气体供给机构，对所述处理腔室内供给包括规定的多种气体的混合气体的处理气体；和使所述处理气体等离子体化的等离子体生成机构，所述等离子体蚀刻装置的特征在于：

在所述处理腔室内具备控制机构，该控制机构进行控制以执行权利要求1～权利要求8中任一项所述的半导体装置的制造方法中的等离子体蚀刻工序。