[发明专利]孪晶受控二次生长合成高度取向性MFI型分子筛膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110033850.8 申请日: 2011-01-31
公开(公告)号: CN102126731A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 王正宝;李显明;彭勇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C01B39/00 分类号: C01B39/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种孪晶受控二次生长合成高度取向性MFI型分子筛膜的方法。它的步骤如下:1)二次生长合成液的配制,合成液组成的摩尔比为:正硅酸乙酯:四丙基氢氧化铵:氢氧化钠:水=1:0.001-0.60:0.001-0.20:10-1000;2)合成液室温搅拌1-10小时后装入合成釜中,放入涂有b轴取向晶种层的支撑体,合成釜密封后进行加热合成,合成温度为120-200℃,合成时间为10-300分钟;3)洗涤烘干,在支撑体上获得取向性MFI型分子筛膜。本发明所合成的MFI型分子筛膜为高度b轴取向,方法操作简单,分子筛膜层取向性好,合成液可循环使用,有利于降低成本,减少污染。
搜索关键词: 受控 二次 生长 合成 高度 向性 mfi 分子筛 方法
【主权项】:
一种孪晶受控二次生长合成高度取向性MFI型分子筛膜的方法,其特征在于它的步骤如下:1)二次生长合成液的配制,合成液组成的摩尔比为:正硅酸乙酯:四丙基氢氧化铵:氢氧化钠:水=1:0.001‑0.60:0.001‑0.20:10‑1000;2)合成液室温搅拌1‑10小时后装入合成釜中,放入涂有b轴取向晶种层的支撑体,合成釜密封后进行加热合成,合成温度为120‑200℃,合成时间为10‑300分钟;3)洗涤烘干,在支撑体上获得取向性MFI型分子筛膜。
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