[发明专利]孪晶受控二次生长合成高度取向性MFI型分子筛膜的方法无效
| 申请号： | 201110033850.8 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102126731A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王正宝;李显明;彭勇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B39/00 | 分类号： | C01B39/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 受控 二次 生长 合成 高度 向性 mfi 分子筛 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种孪晶受控二次生长合成高度取向性MFI型分子筛膜的方法，其特征在于它的步骤如下：
1）二次生长合成液的配制，合成液组成的摩尔比为：正硅酸乙酯:四丙基氢氧化铵:氢氧化钠:水=1:0.001-0.60:0.001-0.20:10-1000；
2）合成液室温搅拌1-10小时后装入合成釜中，放入涂有b轴取向晶种层的支撑体，合成釜密封后进行加热合成，合成温度为120-200℃，合成时间为10-300分钟；
3）洗涤烘干，在支撑体上获得取向性MFI型分子筛膜。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的b轴取向晶种层是直接将晶种涂抹在支撑体表面，或者先涂抹在平整薄膜上，然后将薄膜包到支撑体表面。
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