[发明专利]一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110031205.2 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102168304A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | C·哈格尔;T·洛赫;N·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 具有 外延 沉积 构成 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。
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