[发明专利]一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110031205.2 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102168304A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | C·哈格尔;T·洛赫;N·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B25/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 具有 外延 沉积 构成 半导体 晶片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造具有外延沉积层的由硅构成的半导体晶片的方法，其包括：
在外延反应器的基座上放置挡片；引导刻蚀气体通过外延反应器，从而通过刻蚀气体的作用移除外延反应器内表面上的残留物；
引导第一沉积气体通过外延反应器，从而在外延反应器内的表面上沉积硅；
用由硅构成的基体晶片替代挡片；并且
引导第二沉积气体通过外延反应器，从而在基体晶片上沉积外延层。
2.如权利要求1所述的方法，其包括：
在至少2至24个另外基体晶片上沉积外延层，而在中间期间没有挡片放置于基座上。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述挡片由硅构成，或者由碳化硅构成，或者由涂布石墨的碳化硅构成，或者由石英构成；或者由硅或碳化硅构成，并且在背面或者全部覆盖有氧化物层。
4.如权利要求1至3任一所述的方法，其中所述挡片被重复使用。
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