[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110031017.X | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102148220A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 胡宪斌;余振华;赖隽仁;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/48 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含一具有一顶部表面的中介物，及一凸块位于此中介物的顶部表面上。一开口，自此中介物的顶部表面延伸至此中介物中。一第一裸片与此凸块接合。一第二裸片，位于此中介物的开口中，并与此第一裸片及此第二裸片接合。本发明可避免因形成硅穿孔所导致的良率损失，并可缩短所需的制造周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一中介物，包含一顶部表面；一第一凸块，位于该中介物的顶部表面上；一开口，自该顶部表面延伸至该中介物中；一第一裸片，与该第一凸块接合；以及一第二裸片，位于该开口中并与该第一裸片接合。
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