[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一中介物，包含一顶部表面；

一第一凸块，位于该中介物的顶部表面上；

一开口，自该顶部表面延伸至该中介物中；

一第一裸片，与该第一凸块接合；以及

一第二裸片，位于该开口中并与该第一裸片接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该中介物包含一硅基材或一介电基材，且实质上未包含集成电路装置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包含一第二凸块，其位于该中介物的相对于该顶部表面的一底部表面，并与该第二裸片电性连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该中介物包含：

一基材；

一硅穿孔，位于该基材中；及

多个重分布导线，位于该基材的相反两侧，且与该硅穿孔电性连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包含一塑模化合物于该中介物上，且该塑模化合物包含一围绕该第一裸片的部分。

6.一种半导体装置，包括：

一实质上无集成电路装置的中介物，其中该中介物包含：

一硅基材；

一硅穿孔，位于该硅基材中；

多个第一凸块，位于该中介物的一第一表面上；及

多个第二凸块，位于该中介物的相对于该第一表面的一第二表面上；

一第一裸片，与该中介物的多个第一凸块接合；以及

一第二裸片，位于该中介物的一开口中，且与该第一裸片接合。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第二裸片的水平尺寸小于该第一裸片。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述多个第一凸块围绕该第一裸片分布。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第二裸片通过所述多个第一凸块其中之一与所述多个第二凸块其中之一电性连接。

10.如权利要求8所述的半导体装置，还包含重分布导线，其位于该硅基材的相反两侧并与该硅穿孔、所述多个第一凸块及所述多个第二凸块电性连接。