[发明专利]一种高深宽比微型气相色谱柱及其湿法腐蚀制作方法无效
| 申请号： | 201110029478.3 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102183602A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;王力;廖明杰;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N30/60 | 分类号： | G01N30/60;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高深宽比微型气相色谱柱及其湿法腐蚀制作方法，该微型气相色谱柱系在(110)单晶硅基板上制作折线形的色谱沟槽，折线的长、短边夹角为70.53°，分别沿着基板的<110>和<112>晶向。该折线形色谱柱系采用各向异性湿法腐蚀法制备高深宽比的垂直深槽，然后经硅玻键合而成，从而使得整个折线形沟槽都具有高深宽比，并且在一个小的面积上实现足够长的柱长。在深宽比、柱长、面积等特征尺寸上，本发明所制备的折线形深槽与DRIE加工的垂直深槽相当，但所采用的湿法腐蚀加工方法简单易行，不需要采用昂贵的DRIE刻蚀设备，加工成本大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 微型 色谱 及其 湿法 腐蚀 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高深宽比微型气相色谱柱，包括一个硅基板，一个玻璃顶盖，一个薄膜加热器和固定相薄膜；硅基板的正面刻蚀有蛇形深槽，背面制作有薄膜加热器；玻璃顶盖上刻蚀有进气口和出气口；固定相薄膜涂覆在深槽的内壁；其特征在于，所述硅基板为(110)单晶硅片，所述蛇形深槽的断面为矩形，蛇形深槽在硅基板平面上为折线形，其长边沿<110>晶向，短边沿<112>晶向，或长边沿<112>晶向，短边沿<110>晶向，长边与短边的夹角为70.53°。
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