[发明专利]PN结及其制造方法有效
| 申请号： | 201110028613.2 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102157549A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王灼平;陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PN结及其制造方法，所述PN结包括：第一掺杂的第一半导体层；位于第一半导体层上的介质层，所述介质层中设置有开口，所述开口露出所述第一半导体层，所述介质层的横截面为开口端厚度较小的楔形；填充于所述开口、且覆盖于所述介质层上的第二掺杂的第二半导体层。相应地，本发明还提供一种PN结的制造方法。本发明可以避免因PN结较浅而引起的漏电流较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | pn 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种PN结，其特征在于，包括：第一掺杂的第一半导体层；位于第一半导体层上的介质层，所述介质层中设置有开口，所述开口露出所述第一半导体层，所述介质层的横截面为开口端厚度较小的楔形；填充于所述开口、且覆盖于所述介质层上的第二掺杂的第二半导体层。
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