[发明专利]PN结及其制造方法有效
| 申请号： | 201110028613.2 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102157549A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 王灼平;陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pn 及其 制造 方法 | ||
1.一种PN结，其特征在于，包括：第一掺杂的第一半导体层；位于第一半导体层上的介质层，所述介质层中设置有开口，所述开口露出所述第一半导体层，所述介质层的横截面为开口端厚度较小的楔形；填充于所述开口、且覆盖于所述介质层上的第二掺杂的第二半导体层。
2.如权利要求1所述的PN结，其特征在于，所述介质层为氧化硅。
3.如权利要求1所述的PN结，其特征在于，所述第一掺杂为N型掺杂，所述第二掺杂为P型掺杂。
4.如权利要求1所述的PN结，其特征在于，所述第一半导体层为基极，所述第二半导体层为发射极。
5.如权利要求4所述的PN结，其特征在于，所述基极的材料采用掺入锗的硅，所述发射极的材料为硅。
6.如权利要求2所述的PN结，其特征在于，所述氧化硅在开口端厚度在200～的范围内。
7.一种PN结的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层为第一掺杂的半导体层；在所述第一半导体层上形成介质层，图形化所述介质层，在所述介质层中形成开口，在形成开口的过程中减薄所述介质层，形成开口端厚度较小的楔形介质层；向所述开口中填充半导体材料，形成覆盖于介质层上的第二半导体层；对所述第二半导体层进行第二掺杂。
8.如权利要求7所述的PN结的制造方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅，所述图形化所述介质层的步骤包括通过湿刻法图形化所述氧化硅，所述湿刻法中使用的溶液为氢氟酸。
9.如权要求7所述的PN结的制造方法，其特征在于，在所述第一半导体层上形成介质层的步骤中，所述介质层的厚度在800～的范围内。
10.如权利要求9所述PN结的制造方法，其特征在于，所述图形化所述介质层，在所述介质层中形成开口的步骤之后，所述开口端的介质层的厚度在200～的范围内。
11.如权利要求7所述的PN结的制造方法，其特征在于，所述对所述第二半导体层进行第二掺杂的步骤包括，通过离子注入方式对第二半导体层进行第二掺杂。
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