[发明专利]晶片的加工方法无效
申请号: | 201110028587.3 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102157449A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 沟本康隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B28D5/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法。当在表面被保护部件保护的状态下对晶片的背面进行磨削后,不使晶片损伤就能够将保护部件从晶片的表面剥离。该加工方法中,将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片(W)的表面(W1),对该液态树脂照射紫外线以使其硬化,从而在表面(W1)覆盖保护膜,然后保持保护膜侧地对晶片(W)的背面进行磨削,将晶片的背面粘贴于切割带(T),并且将环状的框架(F)粘贴于切割带(T),从而利用框架(F)经由切割带(T)支承晶片(W),向保护膜供给温水(5a)以使保护膜溶胀,并将保护膜从晶片(W)的表面(W1)剥离,然后将由框架(F)支承的晶片(W)分割成一个个器件(D)。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,其将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包括以下工序:保护膜覆盖工序,在该保护膜覆盖工序中,将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面,并对所述液态树脂照射紫外线以使该液态树脂硬化,从而在所述晶片的表面覆盖保护膜;晶片磨削工序,在该晶片磨削工序中,将所述晶片的所述保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台,并对所述晶片的背面进行磨削,从而使所述晶片形成为预期的厚度;切割带改贴工序,在该切割带改贴工序中,将所述晶片的背面粘贴于切割带,并且将具有能够收纳所述晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带,从而利用所述框架经由所述切割带支承所述晶片,并且向所述保护膜供给温水以使该保护膜溶胀,并将所述保护膜从所述晶片的表面剥离;以及分割工序,在该分割工序中,将由所述框架支承的晶片分割成一个个器件。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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