[发明专利]晶片的加工方法无效

专利信息
申请号: 201110028587.3 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102157449A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 沟本康隆 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B28D5/00;H01L21/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种晶片的加工方法。当在表面被保护部件保护的状态下对晶片的背面进行磨削后,不使晶片损伤就能够将保护部件从晶片的表面剥离。该加工方法中,将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片(W)的表面(W1),对该液态树脂照射紫外线以使其硬化,从而在表面(W1)覆盖保护膜,然后保持保护膜侧地对晶片(W)的背面进行磨削,将晶片的背面粘贴于切割带(T),并且将环状的框架(F)粘贴于切割带(T),从而利用框架(F)经由切割带(T)支承晶片(W),向保护膜供给温水(5a)以使保护膜溶胀,并将保护膜从晶片(W)的表面(W1)剥离,然后将由框架(F)支承的晶片(W)分割成一个个器件(D)。
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种晶片的加工方法,其将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件,其特征在于,所述晶片的加工方法包括以下工序:保护膜覆盖工序,在该保护膜覆盖工序中,将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面,并对所述液态树脂照射紫外线以使该液态树脂硬化,从而在所述晶片的表面覆盖保护膜;晶片磨削工序,在该晶片磨削工序中,将所述晶片的所述保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台,并对所述晶片的背面进行磨削,从而使所述晶片形成为预期的厚度;切割带改贴工序,在该切割带改贴工序中,将所述晶片的背面粘贴于切割带,并且将具有能够收纳所述晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带,从而利用所述框架经由所述切割带支承所述晶片,并且向所述保护膜供给温水以使该保护膜溶胀,并将所述保护膜从所述晶片的表面剥离;以及分割工序,在该分割工序中,将由所述框架支承的晶片分割成一个个器件。
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