[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及在将保护膜覆盖于晶片的表面并对晶片的背面进行磨削后，将保护膜剥离并将晶片分割成芯片的晶片的加工方法。

背景技术

关于在表面形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scale integration：大规模集成电路)等器件的晶片，在通过磨削装置磨削背面而形成为预定厚度后，通过切割装置等分割成一个个器件，并应用于各种电子设备等。

在对晶片的背面进行磨削时，为了保护器件，在晶片的表面粘贴保护带等保护部件。然后，在磨削装置中，在将保护带侧保持于卡盘工作台的状态下对晶片的背面进行磨削，使晶片形成为例如100μm的厚度。

在这样对晶片的背面进行了磨削后，将晶片的背面粘贴于切割带，并且在晶片的外周侧将环状的框架粘贴于切割带。然后，在将保护带从晶片的表面剥离后，将晶片在经由切割带支承于框架的状态下分割成一个个器件(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2005-86074号公报

但是，在将保护带从背面粘贴于切割带的晶片的表面剥离时，由于晶片通过磨削而变得很薄，因此存在晶片有可能在剥离时损伤的问题。即便使用紫外线硬化型的保护带作为保护带以使剥离容易，也无法完全避免晶片破损的危险。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于：在对晶片的背面进行磨削后，不使晶片损伤就能够将晶片分割成一个个芯片。

第一发明涉及一种将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件的晶片的加工方法，其包括以下各工序。

(1)保护膜覆盖工序，在该保护膜覆盖工序中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并对液态树脂照射紫外线以使液态树脂硬化，从而在晶片的表面覆盖保护膜。

(2)晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，将晶片的保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对晶片的背面进行磨削，从而使晶片形成为预期的厚度。

(3)切割带改贴工序，在该切割带改贴工序中，将晶片的背面粘贴于切割带，并且将具有能够收纳晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带，从而利用框架经由切割带支承晶片，并且向保护膜供给温水以使保护膜溶胀，并将保护膜从晶片的表面剥离。

(4)分割工序，在该分割工序中，将由框架支承的晶片分割成一个个器件。

第二发明涉及一种将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件的晶片的加工方法，其包括以下各工序。

(1)保护膜覆盖工序，在该保护膜覆盖工序中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并对液态树脂照射紫外线以使液态树脂硬化，从而在晶片的表面覆盖保护膜。

(2)晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，将晶片的保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对晶片的背面进行磨削，从而使晶片形成为预期的厚度。

(3)切割带改贴工序，在该切割带改贴工序中，将晶片的背面粘贴于切割带，并且将具有能够收纳晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带，从而利用框架经由切割带支承晶片。

(4)分割工序，在该分割工序中，将由框架支承且表面被保护膜覆盖的晶片分割成一个个器件。

(5)保护膜剥离工序，在该保护膜剥离工序中，向保护膜供给温水以使保护膜溶胀，并将保护膜从晶片的表面剥离。

在第一发明中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并使该液态树脂硬化而形成保护膜，然后保持保护膜侧并对晶片的背面进行磨削，将晶片的背面粘贴于切割带，并且向保护膜供给温水以除去保护膜，因此，不会在剥离保护膜时使晶片损伤。

在第二发明中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并使该液态树脂硬化而形成保护膜，然后保持保护膜侧并对晶片的背面进行磨削，将晶片的背面粘贴于切割带，并在晶片的表面被保护膜保护的状态下分割晶片，然后向保护膜供给温水以除去保护膜，因此，不但具有不会在剥离保护膜时使晶片损伤的效果，而且还具有以下效果：在分割工序中在晶片的表面覆盖有保护膜，由此能够防止飞溅的切屑附着于器件的表面，对于附着于保护膜的切屑，能够通过在保护膜剥离工序中供给温水来除去，不会使器件被切屑污染。

附图说明

图1是表示晶片和保持工作台的立体图。

图2是表示在晶片的表面滴下液态树脂的状态的立体图。