[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，其将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件，其特征在于，

所述晶片的加工方法包括以下工序：

保护膜覆盖工序，在该保护膜覆盖工序中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并对所述液态树脂照射紫外线以使该液态树脂硬化，从而在所述晶片的表面覆盖保护膜；

晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，将所述晶片的所述保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对所述晶片的背面进行磨削，从而使所述晶片形成为预期的厚度；

切割带改贴工序，在该切割带改贴工序中，将所述晶片的背面粘贴于切割带，并且将具有能够收纳所述晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带，从而利用所述框架经由所述切割带支承所述晶片，并且向所述保护膜供给温水以使该保护膜溶胀，并将所述保护膜从所述晶片的表面剥离；以及

分割工序，在该分割工序中，将由所述框架支承的晶片分割成一个个器件。

2.一种晶片的加工方法，其将在表面形成有多个器件的晶片分割成一个个器件，其特征在于，

所述晶片的加工方法包括以下工序：

保护膜覆盖工序，在该保护膜覆盖工序中，将通过紫外线的照射而硬化、且通过温水而溶胀从而粘接力降低的液态树脂涂布于晶片的表面，并对所述液态树脂照射紫外线以使该液态树脂硬化，从而在所述晶片的表面覆盖保护膜；

晶片磨削工序，在该晶片磨削工序中，将所述晶片的所述保护膜侧保持于磨削装置的卡盘工作台，并对所述晶片的背面进行磨削，从而使所述晶片形成为预期的厚度；

切割带改贴工序，在该切割带改贴工序中，将所述晶片的背面粘贴于切割带，并且将具有能够收纳所述晶片的开口部的环状的框架粘贴于切割带，从而利用所述框架经由所述切割带支承所述晶片；

分割工序，在该分割工序中，将由所述框架支承且表面被所述保护膜覆盖的晶片分割成一个个器件；以及

保护膜剥离工序，在该保护膜剥离工序中，向所述保护膜供给温水以使该保护膜溶胀，并将所述保护膜从所述晶片的表面剥离。