[发明专利]引脚框架封装结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201110026533.3 | 申请日: | 2011-01-25 |
| 公开(公告)号: | CN102117752A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 博纳德·K·艾皮特;凯·埃西希;苏洹漳;李俊哲;陈光雄 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开一种引脚框架封装结构及其制作方法。该封装结构包括一具有一第一中心块、多个第一金属块、一第二中心块以及多个第二金属块的金属片、一第一饰面层以及一第二饰面层、至少一配置于金属片上的芯片以及一包覆芯片的封装体。封装结构可还包括至少一作为走线布局之用的区域块。由此这些线路区域块可无疑地排列于芯片侧,可有效减短导线长度且可依据产品需求而提供较好设计灵活性;此外,介电层的应用可有效提高封装强度;并且还可简化制作工艺步骤与增加产品可靠度。 | ||
| 搜索关键词: | 引脚 框架 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体引脚框架封装结构的制作方法,包括:提供一金属片,该金属片具有一形成于该金属片的上表面上的第一光致抗蚀剂层,其中该第一金属片包括上金属层以及下金属层;图案化该上金属层;移除该第一光致抗蚀剂层;叠压一介电层于该图案化上金属层上;提供一第二光致抗蚀剂层于该金属片的一下表面上;以该第二光致抗蚀剂层为一掩模,形成一金属层于该金属片上;移除该第二光致抗蚀剂层;局部移除该下金属层;配置且电连接至少一芯片至该金属片或该金属层;以及形成一封装体于该金属片或该金属层上,以包覆至少一该芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110026533.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





