[发明专利]引脚框架封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体引脚框架封装结构的制作方法，包括：

提供一金属片，该金属片具有一形成于该金属片的上表面上的第一光致抗蚀剂层，其中该第一金属片包括上金属层以及下金属层；

图案化该上金属层；

移除该第一光致抗蚀剂层；

叠压一介电层于该图案化上金属层上；

提供一第二光致抗蚀剂层于该金属片的一下表面上；

以该第二光致抗蚀剂层为一掩模，形成一金属层于该金属片上；

移除该第二光致抗蚀剂层；

局部移除该下金属层；

配置且电连接至少一芯片至该金属片或该金属层；以及

形成一封装体于该金属片或该金属层上，以包覆至少一该芯片。

2.如权利要求1所述的半导体引脚框架封装结构的制作方法，其中该金属层为通过进行一电镀制作工艺所形成的铜层。

3.如权利要求1所述的半导体引脚框架封装结构的制作方法，其中该介电层为预先钻洞的玻纤胶片层、背胶铜箔、干膜焊罩层或树脂层。

4.如权利要求1所述的半导体引脚框架封装结构的制作方法，其中配置该芯片至该图案化上金属层的一第一中心块上，且该图案化上金属层还包括至少一位于该第一中心块旁的区域块以及多个环绕第一中心块的第一金属块。

5.如权利要求1所述的半导体引脚框架封装结构的制作方法，其中在形成该金属层之前与提供该第二光致抗蚀剂层之后，局部移除该下金属层，且该金属层直接形成于该图案化上金属层上。

6.一种引脚框架封装结构的制作方法，包括：

提供一金属片，该金属片具有形成于该金属片的上表面上的第一光致抗蚀剂层；

以该第一光致抗蚀剂层为一掩模，形成具有多个第一金属块的第一金属层于该金属片的该上表面上；

移除该第一光致抗蚀剂层；

叠压一介电层于该第一金属层上；

提供一第二光致抗蚀剂层于该金属片的一下表面上；

以该第二光致抗蚀剂层为一掩模，形成具有多个第二金属块的第二金属层于该金属片的该下表面上；

移除该第二光致抗蚀剂层；

以该第二金属层为一蚀刻掩模，图案化该金属片；

配置且电连接至少一芯片至该第一金属层或该第二金属层上；以及

形成一封装体于该第一金属层或该第二金属层上，以包覆至少一该芯片。

7.一种引脚框架封装结构，包括：

金属片，具有上表面以及下表面，其中该金属片包括形成于该上表面上的第一中心块、多个形成于该上表面上且环绕该第一中心块的第一金属块、形成于该下表面上的第二中心块以及多个形成于该下表面上且环绕该第二中心块的第二金属块；

至少一芯片，配置于该第一中心块或该第二中心块上，其中至少一该芯片电连接该金属片；以及

封装体，包覆至少一该芯片以及该金属片的一部分。

8.如权利要求7所述的引脚框架封装结构，其中该些第一金属块的位置与该些第二金属块的位置相对应，且该些第一金属块与该些第二金属块的材质包括铜或铜合金。

9.如权利要求7所述的引脚框架封装结构，还包括介电层，该介电层形成于该上表面上且填充于该第一中心块与该些第一金属块之间。

10.如权利要求9所述的引脚框架封装结构，其中该当该芯片配置于该第一中心块上时，该金属片还包括至少一区域块，该区域块形成于该金属片的该上表面上且位于该第一中心块旁。

11.如权利要求9所述的引脚框架封装结构，其中当该芯片配置于该第二中心块上时，该金属片还包括至少一区域块，该区域块形成于该金属片的该下表面上且位于该第二中心块旁。

12.如权利要求9所述的引脚框架封装结构，其中该介电层为预先钻洞的玻纤胶片层、背胶铜箔、干膜焊罩层或树脂层。

13.如权利要求9所述的引脚框架封装结构，其中该第一中心块或该第二中心块包括用以容纳该芯片的凹穴。