[发明专利]用于检测辐射的辐射检测器及方法无效
| 申请号: | 201080069395.0 | 申请日: | 2010-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103140943A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 金重奭;高秉薰;文范镇;尹桢起 | 申请(专利权)人: | 迪迩科技 |
| 主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;G01T1/24 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;陈炜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 公开了一种能够提高图像分辨率并且改进复杂的制造过程的用于检测辐射的辐射检测器及方法。该辐射检测器包括:上电极层,该上电极层传输辐射;第一光电导层,该第一光电导层借助于辐射而呈现光电导性;电荷俘获层,该电荷俘获层使得由于第一光电导层处的光电导性而产生的电荷被俘获,并且该电荷俘获层作用为浮动电极;第二光电导层,该第二光电导层通过读取后光来呈现光电导性;下透明电极层,该下透明电极层被充以由电荷俘获层俘获的电荷;以及后光发射单元,该后光发射单元以像素为单位将后光通过下透明电极层施加到第二光电导层。其中,本发明包括数据处理单元,该数据处理单元根据后光的照射从下透明电极层读取对应于被俘获在电荷俘获层中的电荷的信号,并通过使用所读取的信号生成辐射图像。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 检测 辐射 检测器 方法 | ||
【主权项】:
一种用于检测辐射的装置,所述装置包括:上电极层,所述上电极层传输辐射;第一光电导层,所述第一光电导层在暴露于所述辐射时变得有光电导性,并从而在所述第一光电导层中生成电荷;电荷俘获层,所述电荷俘获层将在所述第一光电导层中生成的所述电荷俘获在所述电荷俘获层中并且所述电荷俘获层用作为浮动电极;第二光电导层,所述第二光电导层在暴露于后光时变得有光电导性,以用于读出辐射图像;下透明电极层,所述下透明电极层被充以被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷;以及后光发射单元,所述后光发射单元以像素为单位将所述后光经由所述下透明电极层施加到所述第二光电导层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





