[发明专利]用于检测辐射的辐射检测器及方法无效
| 申请号: | 201080069395.0 | 申请日: | 2010-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN103140943A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 金重奭;高秉薰;文范镇;尹桢起 | 申请(专利权)人: | 迪迩科技 |
| 主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;G01T1/24 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;陈炜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 检测 辐射 检测器 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种能够检测辐射例如X射线并且能够由此生成图像数据的用于检测辐射的装置及方法。
背景技术
数字辐射检测装置是如下设备:该设备通过X射线照射而在不需要胶片的情况下获得人体内部的信息,使用图像检测传感器从所获得的信息中检测电图像信号,并基于电图像信号生成数字图像。数字辐射检测装置主要分为直接型数字辐射检测装置和间接型数字辐射检测装置。直接型数字辐射检测装置通过使用非晶硒(a-Se)和薄膜晶体管(TFT)直接对通过照射人体而生成的电信号进行检测。间接型数字辐射检测装置使用受光器例如电荷耦合器件(CCD)或光电二极管,由此从将辐射转换成可见光的荧光体(例如,碘化铯)所发射的光中获得辐射图像。与直接型数字辐射检测装置相比,间接型数字辐射检测装置具有相对低的分辨率。
使用TFT的传统的辐射检测装置可能会导致相当大的噪声。辐射检测装置的尺寸越大,则生成的噪声越大,且检测量子效率越低。另外,由于面板中的每个像素都需要TFT,因此大规模制造辐射检测装置通常是困难且高成本的。
技术问题
需要一种能够改进辐射图像的分辨率并且能够有助于使装置的制造简化的用于检测辐射的装置及方法。
技术方案
本发明提供一种能够改进辐射图像的分辨率并且能够有助于使装置的制造简化的用于检测辐射的装置及方法。
本发明的其他特点将在下述描述中阐明,并且将通过描述部分地变得明显,或可以通过实施本发明来了解。
有益效果
根据示例性实施方式,本发明可以提供一种能够改进辐射图像的分辨率并且能够有助于使装置的制造简化的用于检测辐射的装置及方法。
附图说明
附图示出了本发明的实施方式,并且与描述一起用于说明本发明的原理。附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且附图结合在本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是用于检测辐射的示例性装置的横截面图;
图2是用于说明图1中示出的第一光电导层和第二光电导层的操作的电路图;
图3是下述另一用于检测辐射的示例性装置的横截面图,该装置使用等离子显示面板(PDP);
图4A至图4E是用于说明下述另一用于检测辐射的示例性装置的操作的横截面图,该装置包括金属层作为电荷俘获层;
图5A至图5D是用于说明下述另一用于检测辐射的示例性装置的操作的横截面图,该装置包括介电层作为电荷俘获层;
图6A至图6D是用于说明下述另一用于检测辐射的示例性装置的操作的横截面图,该装置包括金属层和介电层的组合作为电荷俘获层;以及
图7是检测辐射的示例性方法的流程图。
最佳实施方式
在一个一般性方面中,本发明公开了一种用于检测辐射的装置,该装置包括:上电极层,该上电极层传输辐射;第一光电导层,该第一光电导层在暴露于辐射时变得有光电导性,并从而在该第一光电导层中生成电荷;电荷俘获层,该电荷俘获层将在第一光电导层中生成的电荷俘获在该电荷俘获层中并且该电荷俘获层用作为浮动电极;第二光电导层,该第二光电导层在暴露于后光时变得有光电导性,以用于读出辐射图像;下透明电极层,该下透明电极层被充以被俘获在电荷俘获层中的电荷;后光发射单元,该后光发射单元以像素为单位将后光经由下透明电极层施加到第二光电导层;以及数据处理单元,该数据处理单元从下透明电极层读出对应于被俘获在电荷俘获层中的电荷的信号,并基于所读出的信号生成辐射图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





