[发明专利]用于检测辐射的辐射检测器及方法无效
| 申请号: | 201080069395.0 | 申请日: | 2010-09-30 | 
| 公开(公告)号: | CN103140943A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 | 
| 发明(设计)人: | 金重奭;高秉薰;文范镇;尹桢起 | 申请(专利权)人: | 迪迩科技 | 
| 主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;G01T1/24 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;陈炜 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 检测 辐射 检测器 方法 | ||
1.一种用于检测辐射的装置,所述装置包括:
上电极层,所述上电极层传输辐射;
第一光电导层,所述第一光电导层在暴露于所述辐射时变得有光电导性,并从而在所述第一光电导层中生成电荷;
电荷俘获层,所述电荷俘获层将在所述第一光电导层中生成的所述电荷俘获在所述电荷俘获层中并且所述电荷俘获层用作为浮动电极;
第二光电导层,所述第二光电导层在暴露于后光时变得有光电导性,以用于读出辐射图像;
下透明电极层,所述下透明电极层被充以被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷;以及
后光发射单元,所述后光发射单元以像素为单位将所述后光经由所述下透明电极层施加到所述第二光电导层。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括:数据处理单元,所述数据处理单元从所述下透明电极层读出对应于被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷的信号,并基于所读出的信号生成辐射图像。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电荷俘获层包括金属层。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电荷俘获层包括介电层。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电荷俘获层包括金属层和介电层。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述后光发射单元包括:两个基底,所述两个基底彼此面对;多个障壁,所述障壁将胞状结构限定在所述两个基底之间;气体层,所述气体层布置在所述胞状结构内部的内腔中并且发射等离子体光;以及等离子体显示面板(PDP),所述等离子体显示面板将所述等离子体光提供给所述下透明电极层作为所述后光。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,在将所述电荷俘获在所述电荷俘获层中期间,高电压被施加到所述上电极层,以及在从所述下透明电极层读出电荷期间,所述上电极连接至接地源。
8.一种检测辐射的方法,所述方法由用于检测辐射的装置执行,所述装置包括:上电极层,所述上电极层传输辐射;第一光电导层,所述第一光电导层在暴露于所述辐射时变得有光电导性,并从而在所述第一光电导层中生成电荷;电荷俘获层,所述电荷俘获层将在所述第一光电导层中生成的所述电荷俘获在所述电荷俘获层中并且所述电荷俘获层用作为浮动电极;第二光电导层,所述第二光电导层在暴露于后光时变得有光电导性,以用于读出辐射图像;下透明电极层,所述下透明电极层被充以被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷;以及后光发射单元,所述后光发射单元以像素为单位将所述后光经由所述下透明电极层施加到所述第二光电导层,所述方法包括:
在将高电压施加到所述上电极层的情况下,在暴露于辐射时在所述第一光电导层中生成成对的正电荷和负电荷;
将所述正电荷和所述负电荷彼此分离,并且使所述正电荷和所述负电荷分别朝向所述上电极层和所述电荷俘获层移动;
将所述正电荷或所述负电荷俘获在所述电荷俘获层中;
将所述上电极层连接至接地源,并在暴露于所述后光时在所述第二光电导层中生成成对的正电荷和负电荷;以及
从所述下透明电极层读出对应于被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷的信号,被俘获在所述电荷俘获层中的所述电荷源于所述第二光电导层。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:基于所读出的信号生成辐射图像。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电荷俘获层包括金属层。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电荷俘获层包括介电层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述读出信号包括:
通过在正电荷或负电荷朝向所述电荷俘获层移动时使所述介电层极化来在所述介电层中生成并且排列偶极子;以及
使用从所述第二光电导层传输的所述电荷来从所述下透明层读出对应于所述偶极子在所述介电层中的排列的信号。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电荷俘获层包括金属层和介电层。
14.根据权利要求8所述的方法,其中,所述读出信号包括:
如果所述电荷俘获层包括金属层和介电层,并且所述介电层和所述金属层分别与所述第一光电导层和所述第二光电导层接触,则通过在正电荷或负电荷朝向所述电荷俘获层移动时使所述介电层极化来在所述介电层中生成并且排列偶极子;
给所述金属层充以对应于所述偶极子在所述电荷俘获层中的排列的电荷;
给所述下透明层充以与给所述金属层充的电荷的极性相反的极性的电荷;以及
从所述下透明层读出对应于所述偶极子在所述介电层中的排列或给所述金属层充的电荷的信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪迩科技,未经迪迩科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080069395.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型中药材切割装置
- 下一篇:一种具有螺丝刀刀头插孔的多功能刀
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





