[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080062032.4 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102714496A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 竹村保彦;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;李浩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的在于，提供一种能够降低功率消耗的半导体装置。另一个目的在于提供使用编程单元的高度可靠的半导体装置，诸如可编程逻辑装置（PLD）。根据基本块之间的连接的配置中的变化，改变供给至基本块的电源电压。即，在基本块之间的连接结构为使得对电路无贡献的基本块时，停止对于该基本块的电源电压的供应。另外，使用编程单元控制对基本块的电源电压的供应，该编程单元利用其沟道形成区使用氧化物半导体形成的场效应晶体管形成，该场效应晶体管具有极低的断态电流或极低的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：各包括逻辑电路的基本块；以及编程单元，配置成控制对每个基本块的电源电位的供应，其中，所述编程单元各包括作为开关元件起作用的第一晶体管，以及配置成控制对所述第一晶体管的栅电极的电位的供应的第二晶体管，以及其中，所述第二晶体管各包括包含氧化物半导体的沟道形成区。
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