[发明专利]半导体装置

权利要求书

1. 一种半导体装置，包括：

各包括逻辑电路的基本块；以及

编程单元，配置成控制对每个基本块的电源电位的供应，

其中，所述编程单元各包括作为开关元件起作用的第一晶体管，以及配置成控制对所述第一晶体管的栅电极的电位的供应的第二晶体管，以及

其中，所述第二晶体管各包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

2. 一种半导体装置，包括：

各包括逻辑电路的基本块；以及

编程单元，各配置成控制两个所述基本块之间的连接，

其中，所述编程单元各包括作为开关元件起作用的第一晶体管，以及配置成控制对所述第一晶体管的栅电极的电位的供应的第二晶体管，以及

其中，所述第二晶体管各包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

3. 一种半导体装置，包括：

各包括逻辑电路的基本块；

第一编程单元，各配置成控制两个所述基本块之间的连接；以及

第二编程单元，配置成控制对每个所述基本块的电源电位的供应，

其中，所述第一编程单元和所述第二编程单元各包括作为开关元件起作用的第一晶体管，以及配置成控制对所述第一晶体管的栅电极的电位的供应的第二晶体管，以及

其中，所述第二晶体管各包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

4. 一种半导体装置，包括：

各包括逻辑电路的第一基本块和第二基本块；以及

电路，配置成控制所述第一基本块和所述第二基本块之间的连接，

其中，所述电路包括作为开关元件起作用的第一晶体管，以及配置成控制对所述第一晶体管的栅电极的电位的供应的第二晶体管，以及

其中，所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

5. 根据权利要求1所述的半导体装置，还包括配置成控制对所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的固定电位的供应的第三晶体管。

6. 根据权利要求2所述的半导体装置，还包括配置成控制对所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的固定电位的供应的第三晶体管。

7. 根据权利要求3所述的半导体装置，还包括配置成控制对所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的固定电位的供应的第三晶体管。

8. 根据权利要求4所述的半导体装置，还包括配置成控制对所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的固定电位的供应的第三晶体管。

9. 根据权利要求1所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的所述栅电极的电容器。

10. 根据权利要求2所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的所述栅电极的电容器。

11. 根据权利要求3所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的所述栅电极的电容器。

12. 根据权利要求4所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的所述栅电极的电容器。

13. 根据权利要求1所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的电阻器。

14. 根据权利要求2所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的电阻器。

15. 根据权利要求3所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的电阻器。

16. 根据权利要求4所述的半导体装置，还包括连接至所述第一晶体管的源电极和漏电极之一的电阻器。

17. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体为In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。

18. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体为In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。

19. 根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体为In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。

20. 根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体为In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。