[发明专利]半导体存储器件及其驱动方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件通过将在关断状态下在源极与漏极之间的泄漏电流小的晶体管用作写晶体管来存储数据。在写晶体管的漏极与读晶体管的栅极连接以及写晶体管的漏极与电容器的一个电极连接的包含多个存储单元的矩阵中，写晶体管的栅极与写字线连接；写晶体管的源极与写位线连接；以及读晶体管的源极和漏极与读位线和偏压线连接。为了减少布线的数量，写位线或偏压线替换另一列中的读位线。

主权项

一种半导体存储器件，包括：第一线路；第二线路；第三线路；第四线路；第五线路；以及存储单元，所述存储单元包括：第一晶体管；第二晶体管；以及电容器，其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极以及所述电容器的一个电极电连接，其中所述第一晶体管的栅极与所述第一线路电连接，其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第五线路电连接，其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三线路电连接，其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四线路电连接，其中所述电容器的另一个电极与所述第二线路电连接，其中所述第一晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，并且其中所述电容器的面积小于所述第二晶体管的沟道区的面积的2倍。