[发明专利]半导体存储器件及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

第一线路；

第二线路；

第三线路；

第四线路；

第五线路；以及

存储单元，所述存储单元包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

电容器，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极以及所述电容器的一个电极电连接，

其中所述第一晶体管的栅极与所述第一线路电连接，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第五线路电连接，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三线路电连接，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四线路电连接，

其中所述电容器的另一个电极与所述第二线路电连接，

其中所述第一晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，并且

其中所述电容器的面积小于所述第二晶体管的沟道区的面积的2倍。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二线路的宽度大于或等于所述第一晶体管的沟道宽度的0.5倍且小于或等于所述第一晶体管的沟道宽度的1.5倍。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中在处于关断状态下的所述第一晶体管的源极和漏极之间的泄漏电流在25°C的温度下为1×10^-20A或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述氧化物半导体的载流子浓度小于1×10¹⁴cm^-3。

5.一种半导体存储器件，包括：

第一线路；

第二线路；

第三线路；

第四线路；以及

存储单元，所述存储单元包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

电容器，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极以及所述电容器的一个电极电连接，

其中所述第一晶体管的栅极与所述第一线路电连接，

其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三线路电连接，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第三线路电连接，

其中所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四线路电连接，

其中所述电容器的另一个电极与所述第二线路电连接，

其中所述第一晶体管包括包含氧化物半导体的半导体层，并且

其中所述电容器的面积小于所述第二晶体管的沟道区的面积的2倍。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述第二线路的宽度大于或等于所述第一晶体管的沟道宽度的0.5倍且小于或等于所述第一晶体管的沟道宽度的1.5倍。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中在处于关断状态下的所述第一晶体管的源极和漏极之间的泄漏电流在25°C的温度下为1×10^-20A或更小。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述氧化物半导体的载流子浓度小于1×10¹⁴cm^-3。