[发明专利]具有应变材料的半导体装置

摘要

本发明揭示具有应变材料的半导体装置。在特定实施例中，所述半导体装置包含第一单元，所述第一单元包含位于第一漏极与第一源极之间的第一栅极。所述半导体装置还包含邻近所述第一单元的第二单元。所述第二单元包含位于第二漏极与第二源极之间的第二栅极。所述半导体装置进一步包含浅沟槽隔离区域，其位于所述第一源极与所述第二源极之间。所述第一源极上以及所述第二源极上的应变材料的第一量大于所述第一漏极上以及所述第二漏极上的应变材料的第二量。

主权项

一种方法，其包括：将应变材料施加到包括多个单元的半导体装置，所述单元中的至少两者彼此邻近，其中所述至少两个单元中的第一者包括第一源极，且所述至少两个单元中的第二者包括第二源极，其中所述第一源极接近所述第二源极，且其中浅沟槽隔离区域位于所述第一源极与所述第二源极之间，且其中所述应变材料的至少一部分沉积在所述第一源极与所述第二源极之间的所述浅沟槽隔离区域上。