[发明专利]具有应变材料的半导体装置

权利要求书

1.一种方法，其包括：

将应变材料施加到包括多个单元的半导体装置，所述单元中的至少两者彼此邻近，

其中所述至少两个单元中的第一者包括第一源极，且所述至少两个单元中的第二者包括第二源极，

其中所述第一源极接近所述第二源极，且其中浅沟槽隔离区域位于所述第一源极与所述第二源极之间，且

其中所述应变材料的至少一部分沉积在所述第一源极与所述第二源极之间的所述浅沟槽隔离区域上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一源极上沉积比对应于所述第一源极的漏极上多的应变材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置为存储器装置。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述存储器装置为只读存储器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中具有共用漏极的第一组邻近单元的第一栅极到栅极距离小于具有单独源极的第二组邻近单元的第二栅极到栅极距离。

6.根据权利要求5所述的方法，其中超过所述第一栅极到栅极距离的所述第二栅极到栅极距离使得能够在所述第二组邻近单元的单元之间施加比所述第一组邻近单元的单元之间多的应变材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述浅沟槽隔离区域位于所述第二组邻近单元的源极之间，且其中所述应变材料的沉积导致所述浅沟槽隔离区域上的所述应变材料的量比所述第一组邻近单元的所述共用漏极上的所述应变材料的量大。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过集成到电子装置中的处理器来起始施加所述应变材料。

9.一种方法，其包括：

将第一掩模施加到半导体装置以形成经图案化装置，所述第一掩模识别至少一个虚拟栅极；

蚀刻所述经图案化装置以移除所述至少一个虚拟栅极以在所述经图案化装置内形成经蚀刻区；以及

将应变材料沉积到所述经图案化装置内的所述经蚀刻区。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将层间电介质ILD材料沉积在所述应变材料上。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括穿过所述ILD材料的至少一部分沉积触点。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括将至少一个金属层沉积在所述触点上以形成功能装置。

13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括制造包括所述应变材料的半导体装置。

14.根据权利要求13所述的方法，其中使所述至少一个虚拟栅极与所述半导体装置内的功能电路电隔离。

15.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括使用第二掩模来蚀刻所述经图案化装置。

16.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一个虚拟栅极为非操作的。

17.根据权利要求9所述的方法，其中所述应变材料包括氮化硅。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述应变材料具有较强的张应力，且沉积在邻近所述经蚀刻区的n型场效晶体管NFET装置的源极上。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述应变材料具有压缩应力，且沉积在邻近所述经蚀刻区的p型场效晶体管PFET装置的源极上。

20.根据权利要求9所述的方法，其中所述应变材料包括碳化硅。

21.根据权利要求9所述的方法，其中通过集成到电子装置中的处理器来起始沉积所述应变材料。

22.一种设备，其包括：

半导体装置，其包括：

第一单元，其包括第一漏极与第一源极之间的第一栅极；

第二单元，其邻近所述第一单元，所述第二单元包括第二漏极与第二源极之间的第二栅极；以及

浅沟槽隔离区域，其位于所述第一源极与所述第二源极之间，

其中所述第一源极上以及所述第二源极上的应变材料的第一量大于所述第一漏极上以及所述第二漏极上的应变材料的第二量。