[发明专利]用于分析水和在水中清洗的衬底的方法无效
| 申请号： | 201080058166.9 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102668054A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | L·W·夏夫 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于预测在使晶片与容器中的水接触之后在诸如半导体晶片（W）的衬底上沉积的污染物的量的方法。所述污染物可包括即使在晶片表面上沉积的污染物的量低于已知的系统的检测阈值水平时也会不利地影响晶片特性的材料。所述方法包括使所述晶片与水接触第一时长，所述晶片具有晶片表面；对所述晶片进行干燥；分析所述晶片以确定在所述晶片表面上的污染物；以及预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述晶片上沉积的所述污染物的量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分析 水中 清洗 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于预测在具有至少两个晶片表面的半导体晶片上沉积的污染物的方法，所述方法包括：使所述晶片与水接触第一时长；对所述晶片进行干燥；分析所述晶片以确定在所述晶片表面中的至少一个上的污染物；预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时将在所述晶片上沉积的所述污染物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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