[发明专利]用于分析水和在水中清洗的衬底的方法

说明书

背景技术

在衬底（例如半导体晶片）表面上存在的杂质会不利地影响衬底的材料特性。一些杂质会通过用于清洗衬底的水而沉积在衬底的表面上。因此，希望减少或消除在清洗晶片的水中包含的杂质的量。用于清洗衬底的水经常被分析以确定其中存在的杂质的量和类型，以便选择并使用适当的过滤器或其他补救系统来减少或消除在水中包含的杂质。

在已知的系统中，通过各种分析方法确定在衬底的表面上沉积的杂质的量和类型。这些分析方法能够确定高于设定的阈值水平的杂质的存在和量。然而，在衬底表面上沉积的低于阈值水平的杂质却会不利地影响衬底的或由衬底形成的部件的特性。因此，现有系统不能检测在衬底表面上沉积的会不利地影响衬底的特性的杂质。

发明内容

第一方面涉及一种用于预测在使半导体晶片与容器中的水接触之后在所述晶片上沉积的污染物的方法。所述方法包括使所述晶片与水接触第一时长。然后，对所述晶片进行干燥并所述晶片进行分析以确定在所述晶片表面上的污染物。对当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述晶片上沉积的所述污染物进行预测。

另一方面涉及一种用于确定在水的容器中的金属含量的方法。所述方法包括使半导体晶片与所述水接触预定时长。然后，对所述衬底进行干燥并对所述衬底进行分析以确定晶片表面上的金属含量。然后，从在所述晶片表面上的金属确定在所述水中的金属含量。

另一方面涉及一种用于预测在使衬底与容器中的水接触之后在所述衬底上沉积的污染物的方法。所述方法包括使半导体晶片与所述水接触第一时长。然后对所述沉底进行干燥并对所述衬底进行分析以确定在所述晶片表面上的污染物。对当使所述衬底与所述容器中的水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述衬底上沉积的所述污染物进行预测。

存在关于上述方面描述的特征的各种细化。其他的特征同样可以并入到上述方面中。这些细化和附加特征可以单独存在或组合地存在。例如，下面关于任一示例性实施例讨论的各种特征可单独地或以任意组合并入到任一上述方面中。

附图说明

图1为根据一个实施例的用于清洗晶片的槽的局部示意性截面图；

图2为用于向图1和5中示出的槽供给水并在储存器中接收来自槽的水的系统的示意图；

图3为示例性晶片的顶平面图；

图4为另一示例性晶片的顶平面图；

图5为根据另一实施例的用于清洗晶片的槽的局部示意性截面图；

图6为示出了预测在晶片表面上沉积的污染物的量的方法的流程图；

图7为示出了预测在晶片表面上沉积的污染物的量的另一方法的流程图；

图8为示出了预测在衬底表面上沉积的污染物的量的方法的流程图；以及

图9-11以图表形式绘制了实验数据，其示出了在不同的预定量的时间处在晶片W的表面上沉积的各种污染物的密度之间的关系。

具体实施方式

首先参考图1和2，用于清洗晶片W（宽泛地，衬底）的系统一般表示为100。在本文中涉及在晶片W的表面上沉积的污染物。在晶片W的表面上沉积的污染物的量可表示为污染物的浓度（即，每单位面积的污染物的原子），表示为每计数份（即，百万分率或万亿分率），或表示为每单位面积的质量（即，克/mm²）。

图2为示出了供给源50、系统100以及储存器150（或排放储存器（drain reservoir））的示意图。水（即，流体）通过供给源50而被供给到系统100。供给源50可包括一个或多个井或水源（例如，市政供水系统）。供给源50可包括一个或多个处理或过滤部件以在将水供给到系统100之前从水过滤杂质（例如，颗粒和金属）。系统100和供给源50通过任何合适的流体连接部件（例如，软管或管道）而被耦合到一起。在一个实施例中，供给源50包括一个或多个泵以将水从供给源泵吸到系统100。在一些实施例中，系统100仅仅对由供给源50供给的水的一部分进行采样。在其他实施例中，系统100对由供给源50供给的水的全部进行采样。供给源50由此可将连续的水流供给到系统100，以便水进入系统100并通过系统100流到储存器150。在从系统100接收水之后，储存器150可处理掉水。在其他实施例中，储存器150可存储水或将水供给到另一过程以进一步使用或处理。