[发明专利]用于分析水和在水中清洗的衬底的方法

权利要求书

1.一种用于预测在具有至少两个晶片表面的半导体晶片上沉积的污染物的方法，所述方法包括：

使所述晶片与水接触第一时长；

对所述晶片进行干燥；

分析所述晶片以确定在所述晶片表面中的至少一个上的污染物；

预测当使所述晶片与水接触短于所述第一时长的第二时长时将在所述晶片上沉积的所述污染物。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述第一时长为至少500分钟，且所述第二时长小于50分钟。

3.根据权利要求1的方法，其中，所述第一时长为至少700分钟，且所述第二时长小于20分钟。

4.根据权利要求1的方法，其中，所预测的污染物的浓度小于2e8原子/cm²。

5.根据权利要求1的方法，其中，所预测的污染物的浓度小于1e6原子/cm²。

6.根据权利要求1的方法，其中，所检测的污染物为金属。

7.根据权利要求6的方法，其中，所检测的污染物包括镍。

8.根据权利要求1的方法，其中，将所述晶片取向为与容器的垂直侧壁基本上平行。

9.根据权利要求1的方法，其中，将所述晶片取向为与容器的垂直侧壁基本上垂直。

10.根据权利要求1的方法，还包括基于在所述晶片表面上的金属含量确定在所述水中的金属含量。

11.根据权利要求1的方法，还包括在使所述晶片与所述水接触之前分析所述晶片以确定在所述晶片表面上的金属含量。

12.根据权利要求1的方法，还包括在使所述晶片与水接触之前将所述晶片置于容器中。

13.根据权利要求1的方法，还包括在水存在于容器中时将所述晶片置于所述容器中。

14.根据权利要求1的方法，还包括通过将所述晶片浸入所述水中而使所述晶片与所述水接触。

15.根据权利要求1的方法，还包括通过将水流导引为接触所述晶片表面而使所述晶片与所述水接触。

16.一种用于确定在水的容器中的金属含量的方法，所述方法包括：

使衬底与所述水接触预定时长，所述衬底具有表面；

对所述衬底进行干燥；

分析所述衬底表面以确定金属含量；

从在所述衬底表面上的金属含量确定在所述水中的金属含量。

17.根据权利要求16的方法，其中，所述预定时长为至少500分钟。

18.根据权利要求16的方法，其中，所述预定时长为至少700分钟。

19.根据权利要求16的方法，其中，所检测的污染物为金属。

20.根据权利要求19的方法，其中，所检测的污染物包括镍。

21.一种用于预测在使衬底与容器中的水接触之后在所述衬底上沉积的污染物的方法，所述方法包括：

使晶片与所述水接触第一时长，所述晶片具有晶片表面；

对所述晶片进行干燥；

分析所述晶片以确定在所述晶片表面上的污染物；

预测当使所述衬底与所述容器中的水接触短于所述第一时长的第二时长时在所述衬底上沉积的所述污染物。

22.根据权利要求21的方法，其中，所述衬底包含石英、蓝宝石或锗中的至少一种。