[发明专利]DDR型沸石的制造方法有效
| 申请号： | 201080053919.7 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102639441A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 内川哲哉;谷岛健二 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C01B39/48 | 分类号： | C01B39/48;C01B37/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明关于DDR型沸石的制造方法，包括：调制含有1-金刚烷胺盐酸盐、二氧化硅(SiO2)和水，1-金刚烷胺盐酸盐/SiO2的摩尔比为0.002～0.5且水/SiO2的摩尔比为10～500的原料溶液的原料溶液调制工序，和通过将上述原料溶液与DDR型沸石粉末在接触状态进行加热处理，将上述DDR型沸石粉末作为晶种令DDR型沸石晶体生长的晶体生长工序。此外，根据本发明，提供可使用对环境影响低的材料实施、水热合成时间短、无需对原料溶液始终搅拌、而且制造成本低的DDR型沸石的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 型沸石 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种DDR型沸石的制造方法，包括：调制含有1‑金刚烷胺盐酸盐、二氧化硅SiO2和水，1‑金刚烷胺盐酸盐/SiO2的摩尔比为0.002～0.5且水/SiO2的摩尔比为10～500的原料溶液的原料溶液调制工序、和通过将所述原料溶液与DDR型沸石粉末在接触状态进行加热处理，将所述DDR型沸石粉末作为晶种令DDR型沸石晶体生长的晶体生长工序。
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