[发明专利]DDR型沸石的制造方法

权利要求书

1.一种DDR型沸石的制造方法，包括：调制含有1-金刚烷胺盐酸盐、二氧化硅SiO₂和水，1-金刚烷胺盐酸盐/SiO₂的摩尔比为0.002～0.5且水/SiO₂的摩尔比为10～500的原料溶液的原料溶液调制工序、和

通过将所述原料溶液与DDR型沸石粉末在接触状态进行加热处理，将所述DDR型沸石粉末作为晶种令DDR型沸石晶体生长的晶体生长工序。

2.根据权利要求1所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述原料溶液不含乙二胺。

3.根据权利要求1或2所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述原料溶液调制工序包括：使用二氧化硅溶胶调制含有所述二氧化硅SiO₂的所述原料溶液的工序，和调节所述原料溶液pH的pH调节工序。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述原料溶液调制工序中，使用二氧化硅溶胶令其含有所述二氧化硅SiO₂，调制含有的氢氧化钠NaOH为NaOH/1-金刚烷胺盐酸盐的摩尔比为1.0以下的所述原料溶液。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述晶体生长工序中，通过在所述原料溶液中分散所述DDR型沸石粉末，令所述原料溶液与所述DDR型沸石粉末接触。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述晶体生长工序中，通过在分散有所述DDR型沸石粉末的所述原料溶液中浸渍载体，令DDR型沸石在所述载体上结晶生长。

7.根据权利要求1～4任意一项所述的DDR型沸石的制造方法，其中，所述晶体生长工序中，通过在所述原料溶液中浸渍附着有所述DDR型沸石粉末的载体，令所述原料溶液与所述DDR型沸石粉末接触。