[发明专利]用于鳍式FET和三栅极器件的环绕式接触有效
| 申请号： | 201080052947.7 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102668093A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;R·米恩德鲁;L·希弗伦;K·库恩 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括衬底和形成于衬底上的半导体主体。半导体主体包括源极区和漏极区。源极区或漏极区或其组合包括第一侧表面、第二侧表面和顶表面。第一侧表面与第二侧表面相对，顶表面与底表面相对。源极区或漏极区或其组合包括形成于基本全部第一侧表面、基本全部第二侧表面和顶表面上的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 fet 栅极 器件 环绕 接触 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及形成于所述衬底上的半导体主体，所述半导体主体包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的至少一个包括第一侧表面、第二侧表面和顶表面，所述第一侧表面与所述第二侧表面相对，金属层，所述金属层形成于基本全部所述第一侧表面、基本全部所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区中的所述至少一个的所述顶表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080052947.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抗极化太阳能电池
- 下一篇：语音活动检测的方法和背景估计器
- 同类专利
- 专利分类
