[发明专利]用于鳍式FET和三栅极器件的环绕式接触

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；以及

形成于所述衬底上的半导体主体，所述半导体主体包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的至少一个包括第一侧表面、第二侧表面和顶表面，所述第一侧表面与所述第二侧表面相对，

金属层，所述金属层形成于基本全部所述第一侧表面、基本全部所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区中的所述至少一个的所述顶表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属层提供与基本所有所述第一和第二侧表面之间的接触表面，所述接触表面与所述半导体主体的高度成比例地缩放。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述衬底包括绝缘衬底或体衬底。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述金属层包括：钛、钨、镍、铜或钴或接触电阻等于或小于NiSi的接触电阻的任何其他金属，或其组合。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括：

栅极电介质层，所述栅极电介质层形成于所述第一侧表面、所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体主体的所述顶表面上，以及

形成于所述栅极电介质层上的栅极电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极电介质层，所述栅极电介质层形成于所述第一侧表面、所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体主体的所述顶表面上，以及

形成于所述栅极电介质层上的栅极电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述金属层提供与基本所有所述第一和第二侧表面之间的接触表面，所述接触表面与所述半导体主体的高度成比例地缩放。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述金属层包括：钛、钨、镍、铜或钴或接触电阻等于或小于NiSi的接触电阻的任何其他金属，或其组合。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述衬底包括绝缘衬底或体衬底。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供衬底；以及

在所述衬底上形成半导体主体，所述半导体主体包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区中的至少一个包括第一侧表面、第二侧表面和顶表面，所述第一侧表面与所述第二侧表面相对，以及

在基本全部所述第一侧表面、基本全部所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区中的所述至少一个的所述顶表面上形成金属层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属层提供与基本所有所述第一和第二侧表面之间的接触表面，所述接触表面与所述半导体主体的高度成比例地缩放。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底包括绝缘衬底或体衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属层包括：钛、钨、镍、铜或钴或接触电阻等于或小于NiSi的接触电阻的任何其他金属，或其组合。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述第一侧表面、所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体主体的所述顶表面上形成栅极电介质层，以及

在所述栅极电介质层上形成栅极电极。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第一侧表面、所述第二侧表面以及所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体主体的所述顶表面上形成栅极电介质层，以及

在所述栅极电介质层上形成栅极电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属层提供与基本所有所述第一和第二侧表面之间的接触表面，所述接触表面与所述半导体主体的高度成比例地缩放。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属层包括：钛、钨、镍、铜或钴或接触电阻等于或小于NiSi的接触电阻的任何其他金属，或其组合。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述衬底包括绝缘衬底或体衬底。