[发明专利]用于鳍式FET和三栅极器件的环绕式接触

说明书

背景技术

在常规的鳍式FET和三栅极晶体管器件中，源极和漏极区的接触区域，即源极和漏极区域的顶部，随着鳍高增加是恒定的，由此随着鳍高增加，由于接触界面面积小，导致驱动电流的增减不是最佳。因此，常规鳍式FET和三栅极晶体管器件的源极和漏极区域顶部的区域随着鳍高度增加而保持基本恒定。

附图说明

在附图的图中以举例的方式而非限制方式例示这里公开的实施例，其中类似的附图标记指示类似元件，并且其中：

图1示出了根据这里公开的主题的示范性鳍式FET或三栅极晶体管100；

图2A-2I示出了根据这里公开的主题形成接触结构的工艺步骤序列；以及

图3示出了与图2A-2I所示工艺步骤序列对应的工艺流程。

应该认识到，为了简单和/或例示清晰起见，图中所示的元件未必是按比例绘制的。例如，为了清楚起见，一些元件的尺度可能相对于其他元件被放大。此外，如果认为合适，在各幅图之间重复使用附图标记以指示对应和/或相似的元件。

具体实施方式

这里描述了用于鳍式FET和三栅极器件的接触结构的实施例。在以下描述中，阐述了很多具体细节以提供对这里公开的实施例的透彻理解。不过，相关领域的技术人员将认识到，可以实践这里公开的实施例而无需一个或多个具体细节，或利用其他方法、部件、材料等。在其他情况下，未详细示出或描述公知的结构、材料或操作以避免使说明书各方面模糊。

在整个说明书中，提到“一个实施例”或“实施例”表示在至少一个实施例中包括了结合实施例描述的特定特征、结构或特性。于是，整个说明书中各处出现短语“在一个实施例中”或“在实施例中”未必全都指相同实施例。此外，可以在一个或多个实施例中以适当方式组合特定特征、结构或特性。这里使用“示范性”一词表示“充当范例、实例或例示”。这里描述为“示范性”的任何实施例都不应被解释为一定相对于其他实施例是优选或有利的。

这里公开的主题涉及用于鳍式FET或三栅极晶体管器件的接触结构，其利用了环绕结构，使得接触面积有利地随着鳍高增加而增减。亦即，根据这里公开的主题，接触面积随着鳍高度增加而成比例得增加。

图1示出了根据这里公开的主题的示范性鳍式FET或三栅极晶体管100。在衬底101上形成三栅极晶体管100。在示范性实施例中，衬底101是绝缘衬底，其包括下方单晶硅衬底102，所述单晶硅衬底102上形成绝缘层103，例如二氧化硅膜。不过，可以在任何绝缘衬底上形成三栅极晶体管100，例如由硅的二氧化物、氮化物、氧化物或蓝宝石形成的衬底。在示范性实施例中，衬底101可以是半导体衬底，例如，但不限于单晶硅衬底或砷化镓衬底。在又一示范性实施例中，衬底101可以是全部由例如硅形成的体结构。

三栅极晶体管100包括形成于绝缘衬底101的绝缘体103上的半导体主体104。半导体主体104可以由任何半导体材料形成，例如，但不限于硅、锗、硅-锗合金、砷化镓、锑化铟、磷化镓、锑化镓或碳纳米管。半导体主体104可以由任何能够通过施加外部电控制可逆地从绝缘态改变为导电态的材料形成。在一个示范性实施例中，在希望晶体管100具有最佳电气性能时，半导体主体104理想地是单晶膜。例如，当在高性能应用中，例如在高密度电路（例如微处理器中）使用晶体管100时，半导体主体104为单晶膜。不过，在将晶体管100用于性能要求较不严格的应用中时，例如用于液晶显示器中时，半导体主体104可以是多晶膜。绝缘体103将半导体主体104与单晶硅衬底101绝缘。在示范性实施例中，半导体主体104包括单晶硅膜。半导体主体104包括一对横向相对侧壁105和106，侧壁分开一定距离，该距离定义半导体主体104的宽度。此外，半导体主体104包括顶表面107，顶表面107与衬底101上形成的底表面（未示出）相对。顶表面107和底表面（未示出）之间的距离定义主体高度。在一个示范性实施例中，主体高度基本等于主体宽度。在另一示范性实施例中，半导体主体104的宽度和高度小于大约30纳米，理想地小于大约20纳米。在又一示范性实施例中，主体高度介于大约主体宽度的一半到主体宽度两倍之间。