[发明专利]微电子封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201080049669.X | 申请日： | 2010-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102598251A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | J·S·古泽克;M·瑟瓦库马;H·R·阿兹米 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲卫涛;卢江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子封装包括：具有第一表面区域(125)的第一衬底(120)和具有第二表面区域(135)的第二衬底(130)。第一衬底包括在第一表面(121)处具有第一间距(127)的第一组互连(126)和在第二表面(222)处具有第二间距(129)的第二组互连(128)。第二衬底利用第二组互连耦合到第一衬底，并包括具有第三间距(237)的第三组互连(236)以及利用微通路(240)彼此连接的内部导电层(233，234)。第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，并且第一表面区域小于第二表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子封装，包括：具有第一表面区域的第一衬底，所述第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连；以及具有第二表面区域的第二衬底，所述第二衬底利用所述第二组互连耦合到所述第一衬底，并包括：具有第三间距的第三组互连；以及利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层，其中：所述第一间距小于所述第二间距；所述第二间距小于所述第三间距；并且所述第一表面区域小于所述第二表面区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080049669.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗老年人慢性便秘的外用药袋及其制备方法
- 下一篇：一种香辣剁椒
