[发明专利]微电子封装及其制造方法

说明书

技术领域

一般来说，本发明的公开实施例涉及微电子器件的封装，更具体来说，涉及高密度微电子封装内的电气线路的分布。

背景技术

集成电路管芯和其它微电子器件通常封闭在封装内，其中除了别的功能之外，封装还使得能够在管芯与插口、主板或另一下一级组件之间进行电连接。随着管芯尺寸的缩小以及互连密度的增大，这些电连接必须进行缩放以便与通常在管芯处发现的较小间距以及通常在下一级组件处发现的较大间距匹配。

微电子封装内的互连缩放的现有方法是使用单个高密度互连(HDI)衬底来处理从管芯凸块间距(其中，典型的间距值可以是150微米(micron或μm))到系统板级间距(其中，典型的间距值可以是1000μm，即10毫米(mm))的间隙变换。这种方法导致非常细的线路、间隔和通路设计规则以使得能够进行管芯路径设计，并导致非常大的衬底主体大小以便以系统板级间距对接。

附图说明

通过结合图中的各个附图阅读以下详细描述，将能更好地理解公开的实施例，附图中：

图1是根据本发明一个实施例的微电子封装的平面图；

图2是根据本发明一个实施例的图1中的微电子封装的横截面图；

图3是示出根据本发明一个实施例用于制造微电子封装的方法的流程图；以及

图4是示出根据本发明另一个实施例用于制造微电子封装的方法的流程图。

为了简单且清楚地说明，附图示出一般的构造方式，并且可省略对公知的特征和技术的描述和细节以免不必要地使对本发明的描述的实施例的论述晦涩难懂。另外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件有所夸大以便有助于改善对本发明的实施例的理解。不同图中的相同附图标记表示相同的元件，而类似的附图标记可以但不一定表示类似的元件。

本描述和权利要求中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果有的话)用于区分类似元件，但不一定用于描述特定顺序或时间次序。将了解，在合适的情况下，如此使用的术语可互换，以使得本文描述的本发明的实施例能够例如按照不同于本文示出或以其它方式描述的顺序的顺序操作。类似地，如果本文将方法描述为包括一系列步骤，那么本文介绍的这些步骤的次序不一定是执行这些步骤的唯一次序，并且所陈述的某些步骤可能可以省略和/或本文没有描述的某些其它步骤可能可以添加到该方法中。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变化要涵盖非排他性包含，以使得包括一列要素的过程、方法、物品或设备不一定局限于那些要素，而是可以包括这些过程、方法、物品或设备中没有明确列出或其固有的其它要素。

本描述和权利要求中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“上”、“下”等(如果有的话)用于描述的目的，而不一定用于描述永久的相对位置。将了解，在合适的情况下，如此使用的术语可互换，以使得本文描述的本发明的实施例能够例如按照不同于本文所示或以其它方式描述的定向的其它定向操作。本文所用的术语“耦合”定义为以电或非电的方式直接或间接连接。本文描述为彼此“相邻”的对象可以彼此物理接触，彼此紧贴，或者位于彼此相同的一般区域或区中，这视使用该短语的上下文而定。本文出现短语“在一个实施例中”时不一定都指相同的实施例。

具体实施方式

在本发明的一个实施例中，一种微电子封装包括具有第一表面区域的第一衬底和具有第二表面区域的第二衬底。第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连。第二衬底利用第二组互连耦合到第一衬底，并包括具有第三间距的第三组互连以及利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层。第一间距小于第二间距，第二间距小于第三间距，并且第一表面区域小于第二表面区域。

上文提到，现有微电子封装解决方案采用HDI衬底来处理(handle)从管芯凸块间距到系统板级间距的间隙变换(space transformation)。HDI衬底的成本结构很大程度上由实现最小-并且实现起来更昂贵-的设计规则所需的技术决定。但是，只有在管芯阴影下方的区域中以及离管芯边缘前几毫米的信号路径中才真正需要这些最小设计规则。因此，在现有方法中，成本受到仅占衬底总面积的约20％的要求的推动。