[发明专利]微电子封装及其制造方法有效
| 申请号: | 201080049669.X | 申请日: | 2010-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN102598251A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
| 发明(设计)人: | J·S·古泽克;M·瑟瓦库马;H·R·阿兹米 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲卫涛;卢江 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微电子 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种微电子封装,包括:
具有第一表面区域的第一衬底,所述第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连;以及
具有第二表面区域的第二衬底,所述第二衬底利用所述第二组互连耦合到所述第一衬底,并包括:
具有第三间距的第三组互连;以及
利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层,
其中:
所述第一间距小于所述第二间距;
所述第二间距小于所述第三间距;并且
所述第一表面区域小于所述第二表面区域。
2.如权利要求1所述的微电子封装,其中:
所述第一衬底包含多个直径不大于200微米的通孔;并且
所述第一衬底包含第一和第二导电迹线,所述第一和第二导电迹线的厚度均不大于15微米并且彼此间隔不大于15微米的间隙。
3.如权利要求1所述的微电子封装,其中:
所述第二衬底包含第一和第二导电迹线,所述第一和第二导电迹线的厚度均不大于75微米并且彼此间隔不大于75微米的间隙。
4.如权利要求1所述的微电子封装,还包括:
位于所述第一衬底和所述第二衬底至少一个中的集成无源器件。
5.如权利要求1所述的微电子封装,其中:
所述第一衬底是无核衬底。
6.如权利要求1所述的微电子封装,其中:
所述第一衬底包括厚度不大于400微米的核。
7.一种微电子封装,包括:
微电子管芯;
具有第一表面区域的第一衬底,所述第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连;以及
具有第二表面区域的第二衬底,所述第二衬底利用所述第二组互连耦合到所述第一衬底,并包括:
具有第三间距的第三组互连;以及
利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层,
其中:
所述第一间距小于所述第二间距;
所述第二间距小于所述第三间距;
所述第一衬底利用所述第一组互连耦合到所述微电子管芯;并且
所述第一表面区域小于所述第二表面区域。
8.如权利要求7所述的微电子封装,其中:
所述第一衬底的厚度不大于400微米;
所述第一衬底包含多个直径不大于200微米的通孔;并且
所述第一衬底包含第一和第二导电迹线,所述第一和第二导电迹线的厚度均不大于15微米并且彼此间隔不大于15微米的间隙。
9.如权利要求11所述的微电子封装,其中:
所述第二衬底包含第三和第四导电迹线,所述第三和第四导电迹线的厚度均不大于75微米并且彼此间隔不大于75微米的间隙。
10.一种制造微电子封装的方法,所述方法包括:
提供第一衬底;
将所述第一衬底附连到第二衬底以形成衬底组合件,所述第二衬底具有利用微通路彼此连接的第一和第二内部导电层;
对所述衬底组合件执行测试以获得测试结果;
当且仅当所述测试结果满足预定条件时,将管芯附连到所述衬底组合件。
11.如权利要求13所述的方法,还包括:
加固所述衬底组合件。
12.如权利要求13所述的方法,其中:
所述第一衬底具有第一表面区域;
所述第一衬底包括在其第一表面处具有第一间距的第一组互连和在其第二表面处具有第二间距的第二组互连;并且
所述第一间距小于所述第二间距。
13.如权利要求15所述的方法,其中:
所述第二衬底具有第二表面区域;
所述第二衬底利用所述第二组互连耦合到所述第一衬底;
所述第二衬底包括具有第三间距的第三组互连;
所述第二间距小于所述第三间距;并且
所述第一表面区域小于所述第二表面区域。
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