[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080049358.3 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102598276A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 汉密尔顿·吕;T·周;凯尔·特里尔;德瓦·N·帕坦纳亚克;莎伦·石;K·陈;罗伯特·许 | 申请（专利权）人： | 威世硅尼克斯 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于衬底晶圆背面和边缘截面密封的系统和方法。按照第一方法实施例，获取第一导电类型的硅晶圆。在该硅晶圆的正面上生长第一导电类型的外延层。对该外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域。重复上述生长和注入，以形成一个该相反的导电类型的垂直的柱。上述硅晶圆同样可以被注入，以形成一个相反的导电类型的区域，该区域与上述垂直的柱垂直对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体的方法，该方法包括：获取第一导电类型的硅晶圆；在所述硅晶圆的正面上生长所述第一导电类型的外延层；对所述外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域；以及重复所述生长和注入，以形成一个所述的相反的导电类型的垂直的柱。
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