[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体的方法，该方法包括：

获取第一导电类型的硅晶圆；

在所述硅晶圆的正面上生长所述第一导电类型的外延层；

对所述外延层进行注入以形成一个相反的导电类型的区域；以及

重复所述生长和注入，以形成一个所述的相反的导电类型的垂直的柱。

2.权利要求1所述的方法，还包括对所述硅晶圆进行注入，以形成一个所述的相反的导电类型的区域，该区域与所述垂直的柱垂直对齐。

3.权利要求1所述的方法，还包括在所述硅晶圆的全部表面上沉积一层硅氧化物。

4.权利要求3所述的方法，其中所述的沉积一层硅氧化物在所述生长之前执行。

5.权利要求4所述的方法，还包括从所述硅晶圆的正面移除所述硅氧化物。

6.权利要求5所述的方法，其中所述移除在所述生长之前执行。

7.权利要求4所述的方法，还包括在所述硅晶圆的背面上、在所述硅氧化物上沉积一层多晶硅。

8.权利要求7所述的方法，其中所述的沉积一层多晶硅在所述生长之前执行。

9.权利要求1所述的方法，还包括生长至少六层所述外延层。

10.一种在硅晶圆上生长外延硅的方法，所述方法包括：

在所述硅晶圆的全部表面及边缘上沉积一层硅氧化物；

从所述硅晶圆的正面移除所述硅氧化物；

在所述硅晶圆的背面上、在所述硅氧化物上沉积一层多晶硅；以及

在所述硅晶圆的所述正面上生长一层外延硅。

11.权利要求10所述的方法，其中所述外延硅层的自掺杂相比于没有所述硅氧化物层的晶圆上的外延硅生长过程中产生的自掺杂减少了。

12.权利要求10所述的方法，还包括在所述外延硅层上生长另一层外延硅。

13.权利要求12所述的方法，还包括在所述的生长另一层外延硅之前，对所述外延硅层的一个区域进行掺杂。

14.权利要求12所述的方法，其中所述的另一层外延硅包括一个以缺少外延硅为特征的缺口。

15.权利要求10所述的方法，其中任何生长在所述多晶硅层之上的外延硅的特征在于相比于生长在缺少所述多晶硅层的晶圆的背面上的外延硅更光滑。

16.一种半导体器件，包括：

包括大块硅的硅衬底；及

布置在所述衬底的正面上的多个堆叠的外延硅层；及

其中所述的多个外延硅层中的每一个均包括一个掺杂区域，这些掺杂区域在所述半导体器件中聚集成一个垂直的掺杂柱。

17.权利要求16所述的半导体器件，包括至少六个堆叠的外延层。

18.权利要求16所述的半导体器件，其中所述的垂直的掺杂柱的特征为具有比通过表面注入获得的深度更大的深度。

19.一种硅晶圆，包括：

大块硅；

在所述的大块硅的至少一个平坦的表面或边缘上的硅氧化物涂层；及

在所述大块硅的所述的一个平坦的表面上的所述硅氧化物涂层上布置的一个多晶硅层。

20.一种方法，包括：

在硅晶圆的全部表面及边缘上沉积一层硅氧化物；

从所述硅晶圆的正面移除所述硅氧化物；

在所述硅晶圆的背面上、在所述硅氧化物上沉积一层多晶硅；

在所述硅晶圆的所述正面上沉积一个缓冲层；以及

在所述硅晶圆的所述正面上的所述缓冲层上生长一个非硅外延层。