[发明专利]跟踪位单元特性的SRAM延迟电路有效
| 申请号： | 201080047089.7 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102687203A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | I·阿瑟沃斯基;G·M·布拉瑟拉斯;R·M·郝尔;H·皮洛 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/04;G11C11/419;G11C7/22;G11C7/14;G11C7/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邹姗姗 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种跟踪位单元特性的SRAM延迟电路（14）。公开了一种电路，包括用于接收输入信号（13）的输入节点；用于捕捉来自多个参考单元（12）的参考电流的参考节点（20）；具有由所述参考电流控制的放电的电容网络（15）；及输出具有延迟（16）的所述输入信号的输出电路，其中所述延迟由所述电容网络（15）的所述放电控制。 | ||
| 搜索关键词： | 跟踪 单元 特性 sram 延迟 电路 | ||
【主权项】：
一种具有用于跟踪SRAM位单元特性的延迟电路的SRAM设备，其中，所述延迟电路包括：用于接收输入信号的输入节点；用于捕捉来自多个参考单元的参考电流的参考节点；具有由所述参考电流控制的放电率的电容网络；及输出延迟信号的输出电路，其中，该延迟信号由所述电容网络的所述放电率控制。
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