[发明专利]跟踪位单元特性的SRAM延迟电路

权利要求书

1.一种具有用于跟踪SRAM位单元特性的延迟电路的SRAM设备，其中，所述延迟电路包括：

用于接收输入信号的输入节点；

用于捕捉来自多个参考单元的参考电流的参考节点；

具有由所述参考电流控制的放电率的电容网络；及

输出延迟信号的输出电路，其中，该延迟信号由所述电容网络的所述放电率控制。

2.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述输入信号包括时钟转换。

3.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述参考电流是利用选自以下的一种配置从所述多个参考单元捕捉的：传输栅极配置；上拉配置；及下拉配置。

4.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述参考电流输入到具有电流镜的偏置发生器中。

5.如权利要求4所述的SRAM设备，其中，所述偏置发生器把偏置输出到耦合于所述电容网络的放电网络，其中，该偏置指定所述电容网络的放电率。

6.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述电容网络包括升压电容器和信号电容器，并基于所述升压电容器和所述信号电容器之比在放电线上生成独立于逻辑的电压增量。

7.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述输出电路包括传输栅极晶体管，该传输栅极晶体管响应于在所述放电线上电压阈值被超过而打开。

8.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述参考电流用作虚地，来控制电容器对的放电。

9.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述参考电流被提供给用于控制写操作的上拉偏置发生器和用于控制读操作的传输栅极偏置发生器。

10.如权利要求1所述的SRAM设备，其中，所述参考电流被直接提供给电容网络中的放电线。

11.一种在SRAM设备中生成延迟信号的方法，包括：

提供具有耦合到公共参考节点的多个参考单元的SRAM设备，其中，所述多个参考单元配置成响应于字线转换而在所述公共参考节点生成参考电流；

响应于所述字线转换而在所述公共参考节点生成所述参考电流；

利用所述参考电流来指定到放电线上的电容网络的放电率；

响应于所述放电线上的电压电势超过阈值电压而激活输出电路；及

输出延迟信号。

12.如权利要求11所述的方法，还包括利用选自以下的一种配置来捕捉来自所述多个参考单元的所述参考电流：传输栅极配置；上拉配置；及下拉配置。

13.如权利要求11所述的方法，还包括把所述参考电流输入到具有电流镜的偏置发生器中。

14.如权利要求13所述的方法，还包括根据需要给所述电流镜上电或断电，以便生成所述延迟信号。

15.如权利要求11所述的方法，其中，所述电容网络包括升压电容器和信号电容器，并基于所述升压电容器和所述信号电容器之比在所述放电线上生成独立于逻辑的电压增量。

16.如权利要求11所述的方法，还包括把所述参考电流用作虚地，来控制电容器对的放电。

17.如权利要求11所述的方法，还包括把所述参考电流提供给用于控制写操作的上拉偏置发生器和用于控制读操作的传输栅极偏置发生器。

18.如权利要求11所述的方法，还包括把所述参考电流直接提供给所述电容网络中的所述放电线。

19.一种用于在SRAM设备中生成延迟信号的系统，包括：

耦合到公共参考节点的多个参考单元，其中，所述多个参考单元配置成响应于字线转换而在所述公共参考节点生成参考电流，其中，该参考电流包括所述多个参考单元的平均特性；

利用所述参考电流指定到放电线上的电容网络的放电率的电路；

响应于所述放电线上的放电量超过阈值电压而激活的传输栅极晶体管；及

响应于所述放电线上的电压电势超过阈值电压而激活的输出电路。

20.如权利要求19所述的系统，其中，所述参考电流是利用选自以下的一种配置从所述多个参考单元捕捉的：传输栅极配置；上拉配置；及下拉配置。