[发明专利]氢气回收系统以及氢气的分离回收方法无效
| 申请号: | 201080046635.5 | 申请日: | 2010-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN102574680A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 黑泽靖志 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | C01B3/52 | 分类号: | C01B3/52;C01B3/56;B01D53/04;B01D53/46;B01D53/62;B01D53/68;B01D53/77;C01B33/03 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;樊卫民 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明尽量降低为了进行多晶硅制造装置的反应废气的分离而使用的补给氢气的量。将利用氯化氢吸收装置(30)除去了氯硅烷类以及氯化氢的反应废气导入吸附装置(50)中,进行精制后的氢气的回收(S105)。吸附装置(50)中填充有活性炭,在氢气为主体的气体通过该活性炭填充层期间,气体中包含的未分离的氯硅烷类、氯化氢、以及氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷被活性炭吸附而从气体中除去,得到精制后的氢气。氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷的吸附状态为压缩气体,而氯化氢以及氯硅烷类的吸附状态为液体,在解吸时需要提供气化热。利用该特性,仅通过分离解吸气体的路径,就能够将氯化氢以及氯硅烷类与其他杂质成分分离。 | ||
| 搜索关键词: | 氢气 回收 系统 以及 分离 方法 | ||
【主权项】:
一种氢气回收系统,用于从来自以三氯硅烷作为原料制造多晶硅的装置的反应废气中分离回收氢气,其特征在于,具备:冷凝分离装置,从来自多晶硅制造工序的含有氢气的反应废气中将氯硅烷类冷凝分离;压缩装置,将经过所述冷凝分离装置后的含有氢气的反应废气进行压缩;吸收装置,使经过所述压缩装置后的含有氢气的反应废气与吸收液接触,吸收分离氯化氢;和吸附装置,由用于吸附除去经过所述吸收装置后的含有氢气的反应废气中包含的甲烷、氯化氢以及氯硅烷类的多个活性炭填充塔构成,所述活性炭填充塔各自具有:用于向系统外排出的第一线路,作为在该活性炭填充塔内的活性炭再生时使用的载体即氢气的排出线路;和暂时向所述吸附装置外排出后向该吸附装置中循环的第二线路,并且,所述活性炭填充塔各自以能够对将所述氢气输送至所述第一线路或是第二线路进行选择的方式构成,在所述第二线路中依次设置有氯硅烷类的冷凝分离部、气体压缩部和氯化氢的吸收分离部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080046635.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单倍体大豆
- 下一篇:半导体组件的散热座的制作方法





