[发明专利]发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备有效
| 申请号： | 201080045810.9 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102549638A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 荒泽亮;宍户英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的之一是提供一种发光显示器件，其中包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素具有高开口率。该发光显示器件包括分别具有薄膜晶体管(107A)以及发光元件(105)的多个像素(100)。像素(100)电连接到用作扫描线的第一布线(101A)。薄膜晶体管(107A)包括在第一布线(101A)上隔着栅极绝缘膜(113)设置的氧化物半导体层(103A)。该氧化物半导体层(103A)延伸超出设置有第一布线(101A)的区域的边缘。发光元件(105)和氧化物半导体层(103A)彼此重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 显示 器件 以及 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
一种发光显示器件，包括：扫描线；包括第一晶体管和第一发光元件的第一像素；以及包括第二晶体管和第二发光元件的第二像素，其中，所述第一像素与所述扫描线电连接，所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线的上方，所述氧化物半导体层的宽度比所述扫描线的宽度宽，以及所述第二发光元件和所述氧化物半导体层彼此重叠。
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