[发明专利]发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及发光显示器件。另外，本发明还涉及包括该发光显示器件的电子设备。

背景技术

如通常在液晶显示器件中所见到的那样，形成在诸如玻璃衬底的平板上的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅制造。使用非晶硅制造的薄膜晶体管具有低场效应迁移率，但是可在大玻璃衬底上形成。相反，使用结晶硅制造的薄膜晶体管具有高场效应迁移率，但是需要诸如激光退火的晶化步骤，并且不一定适合大玻璃衬底。

鉴于以上内容，使用氧化物半导体制造薄膜晶体管，并将其应用于电子器件和光学器件的技术受到瞩目。例如，专利文献1公开如下技术，即将氧化锌、In-Ga-Zn-O基氧化物半导体用于氧化物半导体膜来制造薄膜晶体管，并将该薄膜晶体管用于发光显示器件的开关元件等。

[参考文献]

[专利文献1]日本专利申请公开2009-31750号公报

发明内容

其中氧化物半导体用于沟道区的薄膜晶体管的场效应迁移率比其中非晶硅用于沟道区的薄膜晶体管高。期待将包括这样的使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管的像素应用于诸如EL显示器的发光显示器件。另外，尽管可以预料到在诸如3D显示器、4K2K显示器等的具有更高附加价值的发光显示器件中像素面积变小，但仍期待实现包括开口率得到提高的像素的发光显示器件。

据此，本发明的目的之一是提供一种发光显示器件，其中在包括使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管的像素具有高开口率。

根据本发明的一个实施例，一种发光显示器件包括具有薄膜晶体管和发光元件的像素。该像素电连接到用作扫描线的第一布线。该薄膜晶体管包括在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸超出设置有第一布线的区域的边缘。发光元件和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施例，一种发光显示器件包括具有薄膜晶体管和发光元件的像素。该像素电连接到用作扫描线的第一布线以及用作信号线的第二布线。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线在第一布线上的栅极绝缘膜上延伸，并且位于氧化物半导体层上并与之相接触。发光元件和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施例，一种发光显示器件包括具有薄膜晶体管和发光元件的像素。该像素电连接到用作扫描线的第一布线以及用作信号线的第二布线。该薄膜晶体管包括在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线在第一布线上的栅极绝缘膜以及栅极绝缘膜上的层间绝缘层上延伸，并且位于氧化物半导体层上并与之相接触。发光元件和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施例，一种发光显示器件包括具有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及发光元件的像素。该像素电连接到用作扫描线的第一布线以及用作信号线的第二布线。第一薄膜晶体管包括在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线在第一布线上的栅极绝缘膜上延伸，并且在氧化物半导体层上并与之相接触。与氧化物半导体层相接触并电连接第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的第三布线在第一布线上的栅极绝缘膜上延伸。发光元件和氧化物半导体层彼此重叠。

根据本发明的一个实施例，一种发光显示器件包括薄膜晶体管以及发光元件。像素电连接到用作扫描线的第一布线以及用作信号线的第二布线。薄膜晶体管包括在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层延伸超出设置有第一布线的区域的边缘。第二布线在第一布线上的栅极绝缘膜以及栅极绝缘膜上的层间绝缘层上延伸，并且位于氧化物半导体层上并与之相接触。与氧化物半导体层相接触并电连接第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的第三布线在第一布线上的栅极绝缘膜以及栅极绝缘膜上的层间绝缘层上延伸。发光元件和氧化物半导体层彼此重叠。

可以提高包括使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管的像素的开口率。因此，发光显示器件可包括高清晰度显示部。

附图简述

在附图中：

图1A和图1B是发光显示器件的俯视图和截面图；

图2A至图2C是发光显示器件的截面图；

图3A和图3B是各自示出发光显示器件的俯视图；

图4A和图4B是发光显示器件的俯视图和截面图；

图5A和图5B是各自示出发光显示器件的俯视图；

图6A和图6B是发光显示器件的俯视图和截面图；